من الهند إلى اليابان وصولاً إلى تايوان الصينية، ميكرون تبني قواعد HBM جديدة في آسيا

تقوم شركة Micron Technology بتسريع بناء نظام إنتاج الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM) والجيل القادم من DRAM في آسيا على نطاق واسع. فمن توسعة المصنعين التوأمين في تونغلو بتايوان الصينية، إلى استثمار مصنع جديد بقيمة تريليونات الين في هيروشيما باليابان، إلى الافتتاح الرسمي لمنشأة التجميع والاختبار في ولاية غوجارات في الهند، تواصل عملاق شرائح التخزين الأمريكي تعزيز قدراته الإنتاجية في مواقع متعددة في آسيا بوتيرة نادرة.

أعلنت Micron في 15 مارس أنها أكملت رسميًا الاستحواذ على منطقة مصنع PSMC P5 في تونغلو، وكشفت في الوقت نفسه عن بدء المرحلة الثانية من البناء في نفس المنطقة الصناعية، مع إضافة ما يقارب 270 ألف قدم مربع من مساحة الغرف النظيفة، مع التركيز على إنتاج الجيل التالي من DRAM بما في ذلك HBM، ومن المتوقع بدء أعمال البناء بحلول نهاية السنة المالية 2026. ووفقًا لوكالة رويترز، يمثل هذا التوسع في المصنعين مرحلة جديدة من توسيع Micron في تايوان الصينية.

في نفس الوقت، بدأت أعمال تطوير الأراضي لمشروع توسعة مصنع Micron في هيروشيما باليابان في أوائل مارس، بوتيرة أسرع من التوقعات الأولية، مع استثمار إجمالي يقارب 1.5 تريليون ين، وتعهد الحكومة اليابانية بتقديم دعم يصل إلى 536 مليار ين؛ أما مصنع التجميع والاختبار المتقدم الأول في ساناند بالهند فقد افتتح رسميًا في 28 فبراير، مع طاقة مستقبلية يمكن أن تساهم بحوالي 10% من إنتاج Micron العالمي.

تشير التقدم المتزامن في هذه المشاريع الثلاثة إلى منطق استراتيجية Micron في الاستفادة من تزايد الطلب على تخزين البيانات للذكاء الاصطناعي، من خلال توزيع الإنتاج في مواقع متعددة في مقاطعات مختلفة للمنافسة على حصة سوق HBM وتوزيع مخاطر سلسلة الإمداد. إن فترة البناء حتى الوصول للطاقة الإنتاجية الكاملة تمتد لعدة سنوات مالية، وسيظل ضغط الإنفاق الرأسمالي إلى جانب الدعم الحكومي من العوامل الرئيسية التي ستركز عليها أنظار المستثمرين.

مصنعا تونغلو: اكتمال الاستحواذ وبدء المرحلة الثانية من البناء

وفقًا لبيان صحفي من Micron، تبلغ مساحة الغرف النظيفة لمصنع P5 في تونغلو، الذي تم الاستحواذ عليه حاليًا، حوالي 300 ألف قدم مربع مخصصة لألواح الرقائق بقياس 300 ملم، وتخطط الشركة لدعم الشحنات واسعة النطاق في أقرب وقت خلال السنة المالية 2028، وقد بدأت أعمال التعديل على الغرف النظيفة الحالية هذا الشهر. وأوضحت Micron أن المصنع سيمثل امتدادًا لمنطقة Micron المتكاملة رأسيًا في تايتشونغ، حيث تقع المنشأتان على بعد حوالي 15 ميلًا من بعضهما. ووفقًا للتقارير، تتركز أعمال Micron في تايوان الصينية في تايتشونغ، إضافة إلى وجود منشآت تابعة في لينكو ومصنع اختبار في تاينان.

بالتزامن مع اكتمال الاستحواذ، أعلنت Micron عن خطة التوسعة للمرحلة الثانية: ستقوم ببناء مصنع ثانٍ بحجم مماثل في منطقة تونغلو، مع إضافة حوالي 270 ألف قدم مربع من مساحة الغرف النظيفة، على أن تبدأ أعمال البناء بحلول نهاية السنة المالية 2026، مع التركيز على إنتاج الجيل القادم من DRAM بما في ذلك HBM.

تسارع هيروشيما: تطوير الأراضي أولًا، ودعم بالمليارات

وفقًا لتقرير من Yahoo Japan نقلًا عن تلفزيون هيروشيما، بدأ تطوير أرض الجانب الغربي لمصنع Micron للذاكرة في هيروشيما في أوائل مارس، على مساحة تقارب 9.5 هكتارات، وتظهر العلامات في موقع العمل أن مدة المشروع ستمتد حتى فبراير 2028.

بحسب نفس التقرير ووفقًا للمطلعين على الأمر، تخطط Micron لاستثمار حوالي 1.5 تريليون ين لإنتاج الجيل القادم من DRAM وذاكرة عالية الأداء للذكاء الاصطناعي على نطاق تجاري في هيروشيما قبل السنة المالية 2029، وستقدم وزارة الاقتصاد والتجارة والصناعة اليابانية دعمًا يصل إلى 536 مليار ين. ووفقًا لتقارير صحيفة نيكي سابقًا، كانت Micron تخطط في الأصل لبدء أعمال البناء رسميًا في مايو 2026 ضمن منطقة هيروشيما الشرقية، مع هدف بدء شحن شرائح HBM بحلول عام 2028. وتشير التقارير الحديثة للإعلام الياباني أن وتيرة تنفيذ المشروع تجاوزت التوقعات المبدئية.

في 28 فبراير، افتتحت Micron رسميًا أول مصنع متطور للتجميع والاختبار (ATMP) في ساناند بولاية غوجارات في الهند. ووفقًا لتقرير Business Standard، يمكن أن تصل الطاقة الإنتاجية لهذا المصنع عند التشغيل الكامل إلى حوالي 10% من إنتاج Micron العالمي، ويوفر المنتجات للأسواق المحلية في الهند وكذلك للأسواق الدولية، ويعد نقطة مهمة جديدة ضمن خارطة الطاقة الإنتاجية لشركة Micron في آسيا.