小摩：儲存基本面穩健 仍看好SK海力士(SKHY.US)、三星及鎧俠

智通財經APP獲悉，摩根大通發布儲存產業報告指出，2026年第三季儲存廠商業績整體略偏正面，DRAM價格及HBM4進展持續超預期，NAND短期內未見降價或下行週期跡象；但儲存股自2026年高點回調約45%，估值已降至2027年預期本益比不足3.5倍，市場仍在AI融資可持續性、HBM降配及週期見頂憂慮中搖擺。摩根大通維持對SK海力士ADR(SKHY.US)、三星電子、鎧俠的「增持」評級，目標價分別為260美元、40萬韓元、43334日圓。未來三個月，該行偏好順序為SK海力士ADR、三星電子、鎧俠。

三季度業績整體略偏正面，個別公司面臨短期擾動

報告稱，儲存廠商2026年第三季度業績整體優於預期：在匯率逆風下，每股收益及利潤率仍超預期，定價提升、HBM價格談判成功以及出貨順利。個別公司則存在短期擾動：三星電子缺乏即將到來的股東回報安排，鎧俠2026年第四季展望偏弱；但摩根大通認為這屬於暫時現象——三星電子的股東回報催化劑預計2027年1月回歸，鎧俠2027年第一季增長應高於季節性水平並領先同業。

終端需求訊號仍然分化：B2B方面，超大型雲端業者AI資本支出穩定成長，市場對明年共識預期有所上調；B2C方面，PC及手機業務面臨更大挑戰。儘管如此，摩根大通認為，自下而上的儲存供需基本面至2028年仍將非常穩健。

DRAM價格再度超預期，四季度出貨指引強勁

三季度DRAM價格再度超越預期，DRAM ASP環比上升23%，高於摩根大通先前預期的十幾至20%，推動各公司業績溫和超預期。額外驚喜來自第四季度比特出貨指引：儲存廠商預期環比雙位數增長，產業可能在2026年底實現高20%區間的同比比特出貨增長。

HBM4方面，儲存廠商已開始出貨，預計HBM4在比特和營收上分別於2026年第三季、第四季超越HBM3E。更重要的是，在價格談判成功後，廠商預期2027年HBM相對傳統DRAM的獲利差距將收斂。摩根大通此前提示，激進的HBM ASP漲幅或有雙面效應——一方面增強儲存盈利，另一方面可能抑制需求；但全面順利的談判意味終端客戶風險大致可控。摩根大通預期2027年HBM ASP漲幅達96%。

廠商一致表示，2027年以後需求仍將超過供給，部分廠商甚至稱2027年儲存實際售罄。摩根大通認為，在市場憂慮AI融資及可持續之際，一旦獲利開始展現韌性，該指引應能舒緩擔憂。產業層面，DRAM供需預計緊至2028年，2027財年超過75%的產能已鎖定。

NAND短期無降價/下行週期跡象

由於庫存累積和中國產能增加，市場原認為NAND最快2026年第四季進入價格下行週期，但摩根大通認為NAND產業基本面具韌性，近期無降價或下行週期徵兆。報告承認價格漲幅確實放緩，但鎧俠12月季度展望不如預期主因為公司自身問題：9月季度有提前拉貨，部分需求延後至明年3月季度。

NAND產業比特出貨展望出現分化：美光預期2027年中段增長高達20%，SK海力士預期處於十幾%區間，摩根大通認為這主要源於產能爬坡時點差異。結構上，由KV-cache卸載推動的eSSD需求持續，高性價比NAND方案將持續吸引雲端服務客戶用於AI模型優化。調研顯示，中國NAND廠商主要聚焦消費類應用，對國際eSSD需求構成威脅有限。

長期協議(LTA)覆蓋範圍正在擴大

三季度業績中，各家儲存廠商均預期2027年將有更多客戶納入LTA合約，三星電子與SK海力士均擴大LTA客戶範圍，部分合約延伸至2030年以後。儲存廠商普遍預期2027/2028年至少有五成以上LTA覆蓋；三星電子則最積極，強調至2030年LTA覆蓋率達60%-70%。

總結而言，摩根大通認為儲存基本面穩健、2027年價格有望維持高檔，但短期缺乏催化劑，相關公司股價或於區間震盪；中期風險回報依然具吸引力，維持所有覆蓋公司「增持」評級，未來三個月偏好順序為SK海力士ADR、三星電子、鎧俠。