Чи «безперервне навчання» AI продовжить дефіцит пам'яті до 2031 року?

Структурний стрибок у здатності AI до запам’ятовування наразі штовхає глобальний ринок пам’яті у багаторічний цикл дефіциту пропозиції.

Згідно з інформацією торгової платформи Peregon, Citi у своєму звіті від 14 вересня зазначає, що у міру переходу AI від етапу простого навчання та інференції до епохи "безперервного навчання", попит на HBM, серверний DDR5 і корпоративні твердотільні накопичувачі (eSSD) з 2027 року синхронно зростатиме вибуховими темпами. Citi прогнозує, що співвідношення пропозиції та попиту DRAM (S/D ratio) погіршиться до -8,7% у 2027 році та до -9,7% у 2028 році, а аналогічне співвідношення NAND впаде до -6,1% та -5,5% відповідно, і дисбаланс між пропозицією та попитом, ймовірно, триватиме до 2031 року.

Попри швидкий ріст попиту, пропозиція обмежена використанням потужностей для HBM і сповільненням технологічної міграції, розширення виробництва значно відстає від темпів росту попиту. Citi прогнозує, що капітальні витрати на глобальну пам’ять у 2027 році зростуть на 46,5% у порівнянні з попереднім роком до 80,4 млрд доларів, однак через тривалий цикл будівництва потужностей навіть масштабна інвестиція не зможе заповнити розрив між попитом і пропозицією.

Дослідження Citi підкреслює, що "безперервне навчання" (Continual Learning) стане ключовою темою у сфері AI на наступні п’ять років. На відміну від нинішньої моделі, коли після навчання AI-параметри фіксуються, безперервне навчання дозволяє моделі постійно засвоювати нову інформацію під час роботи, водночас зберігаючи вже отримані знання.

Основний виклик цього методу полягає у балансуванні між засвоєнням нових знань і попередженням "катастрофічного забуття". Для цього AI-системи мають постійно оновлювати моделі, а також забезпечувати ефективний доступ до історичних даних — обидва ці процеси суттєво підвищують вимоги до пам’яті.

З огляду на хронологію розвитку AI-навантаження, у 2022–першій половині 2025 року домінував цикл навчання, попит на HBM був сильним, натомість традиційний DRAM і NAND залишався помірним; з другої половини 2025 року складність інференції зростала, що призвело до швидкого розширення попиту на серверний DDR5 та eSSD, а увага ринку до HBM дещо знизилася.

Citi вважає, що з 2027 року розпочнеться перша фаза безперервного навчання, коли попит на HBM, серверний DRAM, SoCAMM2 та eSSD буде синхронно розширюватися; до другої половини 2028 року із розквітом персонального AI та Physical AI, карта попиту пошириться й на пам’ять пристроїв на периферії.

Варто відзначити, що місячна кількість використань AI token зростає майже ідеальною експоненціальною кривою: місячна складна темп росту — 31%, а рік до року у серпні 2026 — 2434%, що створює потужну базову підтримку для сталого зростання попиту на пам’ять.

Citi дає чітке трактування явища недавньої "деспецифікації" HBM (de-specification): це оптимізація ефективності ресурсів AI-виробників чипів в умовах обмеженої пропозиції HBM, а не сигнал зниження кінцевого попиту.

Згідно з прогнозом Citi, попит на HBM у 2027 році зросте на 62% у порівнянні з попереднім роком до 75,157 млрд Gb, а у 2028 — ще на 69% до 126,99 млрд Gb, що вдвічі більше попередніх оцінок. Попитом керують не лише Nvidia, а також Broadcom, Google та інші виробники ASIC — зокрема, прогноз по Broadcom зростає з 9,002 млрд Gb у 2026 до 41,003 млрд Gb у 2028, Google — з 4,702 млрд Gb до 14,003 млрд Gb за той же період.

На стороні пропозиції Citi прогнозує, що потужності з TSV-упаковки HBM у 2027 році розширяться з 420 тис. пластин/місяць у 2026 до 700 тис. пластин/місяць. Однак розрив між попитом і пропозицією все одно залишиться значним: прогнозований S/D коефіцієнт HBM у 2027 році — -21%, близько до показника -22% у 2026, а у 2028 через прискорений випуск ASIC ще погіршиться до -36%.

Citi вважає, що деспецифікація по суті є прагматичним вибором компаній-виробників чипів максимально збільшити випуск акселераторів при обмеженій пропозиції HBM, і не має трактуватись як переорієнтація попиту.

Citi прогнозує, що глобальний попит на DRAM у 2027 році зросте на 30,2% у порівнянні з попереднім роком, тоді як пропозиція збільшиться лише на 18,8%, і співвідношення пропозиції та попиту різко впаде з +0,5% у 2026 до -8,7% у 2027, з подальшим погіршенням до -9,7% у 2028.

На боці попиту особливо виділяється ріст серверного DRAM, стимульований безперервним навчанням. За оцінкою Citi, кількість серверного DRAM зросте з 226,3 млрд (еквівалент 1Gb) у 2026 до 341,7 млрд у 2027 (+51%), а сервери продовжать займати близько 67% сукупного попиту на DRAM. При цьому попит з боку PC залишиться відносно стабільним, а смартфони — помірно відновлюватимуться.

Обмеження на стороні пропозиції також чітко визначені: з одного боку, зайнятість потужностей HBM стискає виробництво універсального DRAM, і у 2027 середній галузевий обсяг DRAM-виробництва зросте лише на 8% до 2,295 млн пластин/місяць; з іншого боку, уповільнення міграції технологічних вузлів знижує приріст Gb з пластини; до того ж тривалий цикл запуску нових потужностей означає, що навіть пришвидшене фінансування не забезпечить швидкої реакції з боку пропозиції.

Citi прогнозує, що середня ціна DRAM у 2027 році підвищиться на 23,1% рік до року, а після екстраординарного зростання на 242,4% у 2026 році тренд зростання цін збережеться, але темпи нормалізуються.

Ринок NAND також зіткнеться зі значним жорстким дисбалансом пропозиції і попиту. Citi прогнозує, що попит на NAND у 2027 році зросте на 29,1%, а пропозиція — лише на 21,2%, і S/D показник впаде з -0,8% у 2026 до -6,1% у 2027, а у 2028 утримається на рівні -5,5%.

Основним драйвером зростання попиту на NAND буде eSSD. Citi прогнозує, що попит на eSSD у 2027 зросте на 52,9% рік до року (загальний ріст SSD — 45,0%), обґрунтовуючи це трьома причинами: по-перше, зменшення обсягу HBM на кожному акселераторі змушує більше навантаження KV Cache переходити до зовнішнього сховища; по-друге, постійно ускладнювані AI-інференції стимулюють поширення висококапаситетних QLC eSSD на AI-серверах; по-третє, тренд розвантаження KV Cache у Nvidia і тенденція китайських AI-центрів переходити з HDD на SSD створюють додатковий простір для росту попиту.

Обмеження на стороні пропозиції не менш значущі. Citi очікує, що середньогалузева виробнича потужність NAND у 2027 виросте лише на 3,2% до 1,460 млн пластин/місяць, а потужність Samsung Electronic навіть скоротиться на 4,7%, тоді як SK Hynix та Micron залишиться майже незмінною. Головна причина — виробники спрямовують ресурси на розширення DRAM/HBM, а до NAND інвестиції підходять обережно.

Щодо цін на NAND: Citi прогнозує, що змішана середня ціна NAND у 2027 році підвищиться на 45,3%, підтримуючи тренд зростання після приросту на 236,2% у 2026, хоча ритм подорожчання знизиться.

Citi прогнозує, що капітальні витрати на світовий ринок пам’яті (DRAM+NAND) у 2027 році зростуть на 46,5% у порівнянні з попереднім роком — до 80,4 млрд доларів, суттєво прискорившись відносно 54,9 млрд доларів у 2026.

Капітальні витрати на DRAM очікується зростуть на 51,6% до 58,6 млрд доларів, причому основні інвестори — Samsung Electronic (20,6 млрд доларів), SK Hynix (17,5 млрд доларів) та Micron (15,8 млрд доларів). Однак Citi підкреслює, що велика частка додаткових інвестицій у DRAM спрямовується на потужності для HBM і передові DRAM-технології, тож реальний ефект для постачання універсального DRAM обмежений.

Капітальні витрати на NAND прогнозуються збільшити на 34,2% до 21,8 млрд доларів, Samsung Electronic планує інвестувати 7,9 млрд доларів, Kioxia — 3,7 млрд доларів, SK Hynix — 3,1 млрд доларів, Sandisk — 2,9 млрд доларів, Micron — 2,1 млрд доларів.

Citi зазначає, що попри різке зростання обсягу капітальних витрат, тривалий цикл будівництва нових потужностей (greenfield), означає, що навіть підвищений рівень інвестицій не дозволить закрити дефіцит пропозиції у 2027 році. Виходячи з цього, Citi прогнозує, що глобальний дисбаланс пропозиції та попиту на пам’ять триватиме до 2031 року, і стверджує, що безперервне навчання, а також масове впровадження персонального AI/Physical AI стануть ключовими драйверами довготривалого структурного дефіциту.