¿La IA “de aprendizaje continuo” extenderá la escasez de memoria hasta 2031?

El salto estructural en la capacidad de memoria de la IA está llevando al mercado global de memoria a un ciclo de escasez de oferta que podría durar varios años.

Según Noticias de Trend Trading Desk, Citi indicó en su informe del 14 de septiembre que, a medida que la IA pasa de la simple fase de entrenamiento y razonamiento a la era del "aprendizaje continuo", la demanda de HBM, DDR5 para servidores y unidades de estado sólido empresariales (eSSD) experimentará un crecimiento explosivo a partir de 2027. Citi prevé que la relación oferta-demanda de DRAM (S/D ratio) se deteriorará a -8,7% y -9,7% en 2027 y 2028 respectivamente, mientras que la relación oferta-demanda de NAND caerá a -6,1% y -5,5% en el mismo período, y es probable que el desequilibrio entre oferta y demanda persista hasta 2031.

Mientras la demanda crece rápidamente, el lado de la oferta está limitado por la ocupación de capacidad de HBM y la desaceleración en la transición tecnológica, lo que hace que el ritmo de expansión esté muy rezagado respecto a la demanda. Basado en esto, Citi estima que el gasto global de capital en memoria alcanzará los USD 80.400 millones en 2027, un aumento interanual del 46,5%, pero incluso con grandes inversiones, el prolongado plazo de construcción de capacidad hará difícil cerrar la brecha entre oferta y demanda.

La investigación de Citi señala que el "aprendizaje continuo" será el tema central en el campo de la IA en los próximos cinco años. A diferencia del modo actual en el que los modelos de IA fijan los parámetros después del entrenamiento, el aprendizaje continuo permite que el modelo absorba constantemente nuevos conocimientos durante su funcionamiento, mientras conserva la información previamente adquirida.

El desafío principal de este enfoque es equilibrar la adquisición de nuevos conocimientos y evitar el "olvido catastrófico". Para esto, los sistemas de IA deben actualizar sus modelos de manera continua y mantener un acceso eficiente a los datos históricos, lo que eleva significativamente los requisitos de memoria.

Desde la perspectiva de la evolución de las cargas de trabajo de IA, de 2022 al primer semestre de 2025 predominará el ciclo de entrenamiento de IA, con una fuerte demanda de HBM, mientras que la DRAM y NAND convencionales presentan una tendencia más estable; a partir del segundo semestre de 2025, el aumento en la complejidad del razonamiento impulsará un rápido crecimiento en la demanda de DDR5 para servidores y eSSD, y el foco del mercado en HBM disminuirá levemente.

Citi considera que a partir de 2027 se entrará en la primera fase del aprendizaje continuo, en la que la demanda de HBM, DRAM para servidores, SoCAMM2 y eSSD se expandirá de manera sincrónica; para el segundo semestre de 2028, con el auge de la IA personal y la IA física, la demanda se extenderá aún más a la memoria en dispositivos de computación en el borde.

Cabe destacar que el uso mensual de tokens de IA muestra una curva exponencial casi perfecta, con un crecimiento compuesto mensual del 31% y un crecimiento anual del 2.434% para agosto de 2026, lo que constituye un fuerte soporte para el sostenido y elevado crecimiento de la demanda de memoria en general.

Citi ofrece una explicación clara al fenómeno reciente de "desespecificación" de HBM en la industria: esto representa un comportamiento de optimización de recursos por parte de los fabricantes de chips de IA bajo limitaciones de suministro de HBM, y no una señal de debilitamiento en la demanda final.

Según las previsiones de Citi, la demanda de bits de HBM se disparará un 62% interanual a 75.157 millones de Gb en 2027, y otro 69% a 126.990 millones de Gb en 2028, el doble de las previsiones anteriores. Los principales motores de demanda van más allá de Nvidia e incluyen también a fabricantes de ASIC como Broadcom y Google: la previsión de demanda de HBM de Broadcom crecerá de 9.002 millones de Gb en 2026 a 41.003 millones de Gb en 2028, mientras que Google pasará de 4.702 millones de Gb a 14.003 millones de Gb en el mismo periodo.

En el lado de la oferta, Citi anticipa que la capacidad de HBM (medida en capacidad de encapsulado TSV) se expandirá de 420.000 piezas/mes en 2026 a 700.000 piezas/mes en 2027. Sin embargo, la brecha entre oferta y demanda seguirá siendo alta: la ratio S/D de HBM para 2027 se prevé en -21%, similar al -22% de 2026, y empeorará a -36% en 2028 debido a la aceleración en el envío de ASIC.

Citi sostiene que la desespecificación es, en esencia, una decisión pragmática de los fabricantes de chips para maximizar la entrega de aceleradores dada la oferta limitada de HBM, y no debe interpretarse como un giro en la demanda.

Citi prevé que la demanda global de DRAM crecerá un 30,2% en 2027, pero la oferta solo aumentará un 18,8%, haciendo que el ratio de oferta-demanda caiga bruscamente del +0,5% en 2026 a -8,7% en 2027, y se deteriore aún más a -9,7% en 2028.

Del lado de la demanda, destacan el considerable crecimiento impulsado por el aprendizaje continuo en la DRAM para servidores. Citi prevé que la demanda de DRAM para servidores aumentará de 226.300 millones de unidades (equivalente a 1Gb) en 2026 a 341.700 millones en 2027, un aumento interanual del 51%, manteniendo aproximadamente un 67% de la demanda total de DRAM. En comparación, la demanda de PC seguirá siendo bastante estable y la de teléfonos móviles tendrá una recuperación moderada.

Las limitaciones del lado de la oferta también son claras: por un lado, la capacidad destinada a HBM sigue restringiendo la producción de obleas DRAM convencionales, y para 2027 se prevé que la capacidad promedio mensual de DRAM solo aumente un 8% a 2,295 millones de obleas; por otro lado, la desaceleración en la migración de nodos tecnológicos limita el crecimiento de producción por unidad de oblea; y además, el largo plazo entre la planificación y la producción de nuevas instalaciones implica que, aun con un aumento en el gasto de capital, la respuesta del lado de la oferta será rezagada.

Citi estima que el precio promedio mixto de DRAM aumentará un 23,1% en 2027 interanual; tras el inusual repunte del 242,4% en 2026, la tendencia alcista de los precios persistirá, aunque el aumento tenderá a normalizarse.

El panorama de oferta y demanda en el mercado de NAND también se está ajustando significativamente. Citi pronostica que la demanda de NAND crecerá un 29,1% interanual en 2027, mientras que la oferta solo crecerá un 21,2%, cayendo la relación S/D del -0,8% en 2026 al -6,1% en 2027 y manteniéndose en -5,5% en 2028.

eSSD es el principal impulsor del aumento de la demanda de NAND. Citi prevé que la demanda de eSSD crecerá a una tasa interanual del 52,9% en 2027 (la de SSD en general será del 45,0%), basada en tres factores clave: primero, la menor cantidad de HBM por acelerador obliga a que más cargas de trabajo de caché KV se trasladen a almacenamiento externo; segundo, la creciente complejidad de las cargas de trabajo de inferencia de IA impulsa la penetración de eSSD QLC de alta capacidad en servidores de IA; tercero, la tendencia de descarga de la caché KV por parte de Nvidia y el reemplazo de HDD por SSD en los centros de datos de IA en China brindan espacio adicional para el crecimiento de la demanda.

Las restricciones en el lado de la oferta también merecen atención. Citi espera que la capacidad promedio mensual de obleas NAND solo aumente un modesto 3,2% a 1,460 millones de piezas en 2027; la capacidad de NAND de Samsung Electronics incluso disminuirá un 4,7%, mientras que SK Hynix y Micron se mantendrán estables. El motivo principal es que los fabricantes están redirigiendo más recursos a la expansión de DRAM/HBM, siendo cautelosos con las inversiones incrementales en NAND.

En cuanto a precios, Citi prevé que el precio promedio mixto de NAND aumentará un 45,3% interanual en 2027, manteniendo la tendencia alcista tras el salto del 236,2% en 2026, aunque el ritmo de aumento será más moderado.

Citi prevé que el gasto global de capital en memoria (DRAM+NAND) aumentará un 46,5% interanual hasta USD 80.400 millones en 2027, acelerando notablemente respecto a los USD 54.900 millones proyectados para 2026.

El gasto de capital en DRAM se prevé suba un 51,6% interanual a USD 58.600 millones, liderado por Samsung Electronics (USD 20.600 millones), SK Hynix (USD 17.500 millones) y Micron (USD 15.800 millones). Sin embargo, Citi enfatiza que una proporción significativa de las inversiones adicionales en DRAM seguirá destinada a capacidad de HBM y procesos avanzados, por lo que el alivio efectivo para la oferta de DRAM convencional será limitado.

El gasto de capital en NAND se espera crezca un 34,2% interanual a USD 21.800 millones, con Samsung Electronics invirtiendo USD 7.900 millones, Kioxia USD 3.700 millones, SK Hynix USD 3.100 millones, Sandisk USD 2.900 millones y Micron USD 2.100 millones.

Citi señala que, aunque el gasto de capital ha aumentado drásticamente, el largo plazo de expansión de capacidad de nuevas instalaciones hace que el incremento de gasto no sea suficiente para cerrar la brecha entre oferta y demanda en 2027. Así, Citi extiende su perspectiva de desequilibrio en el mercado mundial de memoria hasta 2031, y considera que el aprendizaje continuo y la adopción a gran escala de IA personal/IA física serán los principales soportes para esta escasez estructural de suministro a largo plazo.