Según el diario económico coreano Seoul Economic Daily, SK Hynix ha reanudado la construcción de la segunda fase de su planta de producción de NAND flash en Dalian, China, ampliando la capacidad de producción en aproximadamente un 50%. La planta comenzó a construirse hace cuatro años, pero estuvo paralizada durante mucho tiempo debido a la recesión en el mercado de memorias. SK Hynix planea completar la instalación de equipos de producción de semiconductores dentro de este año y entrar en opera

Según el diario surcoreano Seoul Economic Daily, SK Hynix ha reanudado la construcción de la segunda fase de su planta de producción de memoria NAND en Dalian, China, aumentando la capacidad en aproximadamente un 50%. La construcción de esta planta comenzó hace cuatro años, pero fue suspendida durante mucho tiempo debido a la caída del mercado de memorias. SK Hynix planea completar la instalación de equipos de producción de semiconductores antes de fin de año y empezar la producción oficial en la primera mitad del año próximo. El ciclo de inversión en Dalian se reactiva tras cuatro años debido a que la popularización de los centros de datos de inteligencia artificial ha impulsado significativamente la demanda de unidades de estado sólido empresariales, y el precio del NAND se ha multiplicado casi por diez en el último año.