عرضت Samsung (SSNLF.US) تقنية الذاكرة ثلاثية الأبعاد "القنبلة التقنية": العرض الأول لمفهوم 400 طبقة V-NAND وzHBM، تستهدف عرش ذاكرة الذكاء الاصطناعي

علمت تطبيقات Jinse Finance أنه في يوم الثلاثاء بالتوقيت المحلي، عقدت شركة Samsung Electronics (SSNLF.US) مؤتمر "ذاكرة وتخزين المستقبل" في سانتا كلارا، كاليفورنيا، حيث عرضت بشكل مكثف تقنيات الذاكرة الجديدة الموجهة لعصر الذكاء الاصطناعي (AI)، بما في ذلك النموذج الأولي لـ V10 BV-NAND الذي يتجاوز 400 طبقة، وذاكرة النطاق الترددي العالي المكدسة رأسياً zHBM، بالإضافة إلى بنية zNAND-O، وذلك بهدف تعزيز موقعها الريادي في سوق رقائق التخزين الذي يقترب حجمه من 1 تريليون دولار وتسريع اللحاق بـ SK Hynix وMicron Technology (MU.US) اللتين تقدمتا أولاً في مجال ذاكرة AI.

باعتبارها أكبر مصنع لرقائق الذاكرة في العالم، عرضت Samsung لأول مرة في المؤتمر نموذجها الأولي لـ V10 Bonding V-NAND (BV-NAND). يستخدم هذا الرقاقة بنية ترابط جديدة بالكامل على مستوى الرقائق، مع عدد طبقات يتجاوز 400 طبقة، ما يعني زيادة كثافة التخزين بنسبة نحو 58% مقارنة بالجيل السابق V9 NAND، وتحسين سرعة القراءة والكتابة وأداء الإدخال والإخراج. ومع توسع عبء عمل الذكاء الاصطناعي من تدريب النماذج اللغوية الكبيرة إلى توليد إجابات استفسارات المستخدمين في الوقت الحقيقي، يرتفع الطلب بسرعة على ذاكرة NAND ذات السعة العالية والكفاءة الطاقية المرتفعة، وتأمل Samsung في تلبية احتياجات تخزين الأنظمة المعتمدة على البيانات بكثافة للذكاء الاصطناعي بشكل أفضل بتقنيتها الجديدة.

في مجال أكثر تقدماً، عرضت Samsung نماذج مفاهيمية لما وصفته بأنها أول بنية zHBM وzNAND-O في الصناعة، محددة خارطة طريق مستقبلية لذاكرة مكدسة ثلاثية الأبعاد.

على خلاف ذاكرة HBM التقليدية الموضوعة بجانب معالج الذكاء الاصطناعي، تقوم zHBM بترصيف ذاكرة النطاق الترددي العالي رأسياً فوق مسرّع الذكاء الاصطناعي، مما يقلل بشكل كبير من مسافة نقل البيانات. وذكرت Samsung أن هذا النظام يوفر زيادة في الأداء بنحو 8 أضعاف مقارنة بـ HBM5 الجيل التالي، مع زيادة كثافة الذاكرة أكثر من 10 أضعاف، وتحسين الكفاءة الطاقية بثلاثة أضعاف، وخفض مقاومة الحرارة لأكثر من النصف، ودعم التصميم المخصص. رغم ذلك، لم تقدم الشركة جدولاً زمنياً لإنتاج HBM5 أو zHBM بشكل كبير، وتخطط هذا العام لتوسيع إنتاج HBM4 أولاً. أما zNAND-O الذي ظهر في المؤتمر فهو مبني على تقنية V-NAND ومصمم خصيصاً لتطبيقات الذكاء الاصطناعي ذات البيانات المكثفة والحقيقية.

هجوم Samsung التقني يأتي بالتزامن مع المنافسة الحامية بين عمالقة رقائق التخزين للحصول على طلبات مراكز بيانات AI. فقد تمكنت SK Hynix من الحصول على ميزة أولى في سوق ذاكرة الذكاء الاصطناعي بفضل دخولها المبكر، وتسعى Micron أيضاً بقوة لكسب العقود. وقد أبرزت Samsung هذه المرة دورها كمورد متكامل للبنية التحتية للذكاء الاصطناعي "من طرف إلى طرف"، حيث لا تواصل دفع الحدود في أجهزة الذاكرة فحسب، بل كشفت أيضاً عن خارطة الطريق الخاصة بالرقائق الحوسبية داخل الذاكرة والتخزين المؤسسي عالي السعة.

من جهة الطلب، رغم قلق بعض المستثمرين من تباطؤ سوق الهواتف الذكية في الصين وما قد يعنيه من كبح الطلب طويل الأمد على الذاكرة، إلا أن المحللين عموماً متفائلون بقوة ديناميكية طلب الذكاء الاصطناعي. كشفت Samsung الأسبوع الماضي أن العقود طويلة الأجل التي أبرمتها مع العملاء قد تغطي في النهاية 60% إلى 70% من حجم مبيعات وحدات الذاكرة للشركة.

وفي تقرير الشهر الماضي، أشار محللو Citi إلى أنه بالرغم من المخاوف من ضعف السوق النهائية، فإن المخزون في سلسلة إمداد DRAM وNAND بالكامل لا يزال أقل بكثير من المستويات التاريخية، مما يوفر حماية للقطاع ويعزز توقعات النمو المدفوعة بالذكاء الاصطناعي.