三星公佈初步業績:Q3營業利潤首次突破100萬億韓元,同比激增近九倍
三星電子第三季度營業利潤約為107.4萬億韓元,同比大幅增長近九倍,連續四個季度創下歷史新高。第三季度營收約為195萬億韓元,同比增長127%。完整財報將於10月29日發布。
三星電子第三季度營業利潤創下歷史新高,AI基礎設施投資熱潮推動記憶體晶片需求持續爆發,令這家全球最大記憶體晶片製造商坐收豐厚紅利。
週四,三星發佈初步業績指引,2026年第三季度(7月至9月)合併營業利潤約為107.4萬億韓元(約合801億美元),較去年同期的12.17萬億韓元暴增近九倍,創下公司史上首次單季營業利潤突破百萬億韓元的歷史紀錄。
這一數字超越LSEG綜合預估的106.1萬億韓元,但略低於彭博分析師均值預期的108.7萬億韓元。第三季度營收約為195萬億韓元,年增127%,亦低於市場預期。
這是三星連續第四個季度刷新營業利潤紀錄。本次業績的驅動力集中於記憶體晶片業務,傳統DRAM及NAND晶片供應偏緊、高頻寬記憶體(HBM)需求強勁共同推高價格,令晶片部門盈利大幅擴張。
分析人士預計,供需失衡格局有望延續至2027年,屆時AI相關需求將消化全球記憶體產能中日益增大的份額。三星將於本月29日發布含各業務分部拆分的完整財報。
AI需求爆發,供需缺口撐起晶片漲價
AI資料中心建設加速是本輪記憶體超級週期的核心驅動力。資料中心開發商爲搶購AI伺服器所需記憶體晶片而競相下單,令供應端壓力持續攀升。
傳統DRAM與NAND晶片供應受限,疊加用於AI大規模資料處理的高頻寬記憶體(HBM)需求持續擴張,推動整體記憶體價格大幅上行。
研究機構Counterpoint Research已將第三季度DRAM價格漲幅預測從此前的環比5%至10%上調至10%至20%,理由是客戶普遍提前下單,供應商訂價權明顯增強。
分析師普遍預計,供應增速將持續落後於需求,這一缺口在2027年或將進一步擴大,屆時AI相關需求將吸納全球記憶體產能中越來越大的份額。
HBM份額提升,三星追趕SK海力士
在HBM這一AI加速器核心配套晶片市場上,三星正逐步縮小與競爭對手SK海力士之間的差距。
分析師指出,傳統DRAM出貨量受庫存水位限制,預計環比基本持平;但受HBM4強勁需求帶動,HBM出貨量有望較上季度大幅提升。
Douglas Research Advisory的Douglas Kim估計,三星第三季度HBM位出貨量環比增幅接近50%。同時,三星和SK海力士正雙管齊下,一方面擴大產能,另一方面加大對AI領域企業的戰略投資,以期進一步催生對自身產品的需求。
不過,韓元升值構成一定拖累。海外以美元計價的銷售額折算成本幣後,實際收入有所縮水,部分抵銷了出貨量增長帶來的收益。
分析師預計,三星晶片部門單季營業利潤可達110萬億韓元,成為整體業績的絕對支柱;而其消費電子部門則預計錄得虧損。
記憶體晶片價格上漲在提振半導體業務利潤的同時,也推高了三星智能手機及其他電子消費品的零部件成本,令相關部門利潤率承壓。
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