傳SK海力士（SKHY.US）旗下Solidigm考慮在美建NAND工廠，成本與政治阻力仍存

智通財經APP獲悉，三位知情人士透露，韓國存儲晶片巨頭SK海力士(SKHY.US)旗下子公司Solidigm正考慮在美國建設NAND快閃記憶體晶片工廠，紐約州北部地區成為主要候選地。此舉正值特朗普政府不斷施壓韓國晶片商擴大在美製造，而AI數據中心的巨額投資正令全球存儲晶片供應趨於緊張。

知情人士稱，該擬議項目與SK海力士和英特爾的洽談無關，後者涉及在英特爾俄亥俄州工廠生產記憶體晶片。

SK海力士表示，其美國子公司Solidigm正在審查各種選項以增強業務競爭力，但尚未確認具體計畫。

在美建廠可降低對大連工廠依賴，規避關稅與出口限制

若在美國設廠，將減少Solidigm對其位於中國大連的唯一NAND生產設施的依賴，同時協助其規避潛在的美國關稅以及晶片設備出口限制的影響。

這一擴張消息傳出之際，中國競爭對手正迅速增加產能，以縮小與外國競爭對手的技術差距。

不過，一位消息人士提醒，尚未就Solidigm的美國投資達成協議，關鍵項目細節仍在討論中。SK海力士可能謹慎行事，因為在美國製造晶片比在韓國更昂貴，同時華府與首爾仍在就貿易和投資事宜進行談判。

受相關消息影響，SK海力士股價在首爾市場收盤上漲6.4%，而基準KOSPI指數上漲2.7%。

韓方態度微妙，NAND政治阻力或小於DRAM

當被問及美國向韓國晶片製造商施壓要求在美國建廠時，韓國總統李在明表示，首爾將尋求「保護韓國的國家利益，同時尊重企業的觀點」。他週五稱「這仍然是一個有爭議的問題」，但沒有詳細說明。

一位消息人士稱，SK海力士通過其美國子公司生產NAND晶片可能面臨較少的政治阻力，因為該技術不像高頻寬記憶體(HBM)等先進DRAM產品那樣具有戰略敏感性。

韓國政府已敦促SK海力士和競爭對手三星加快在韓國西南部建立新的半導體製造聚落的計畫，潛在投資達數千億美元。據報導，首爾方面可能存在的反對意見，或使SK海力士在英特爾工廠生產HBM甚至傳統DRAM等先進記憶體晶片的雄心複雜化。

美國商務部長霍華德·盧特尼克威脅稱，除非韓國和中國台灣企業承諾擴大在美國的生產，否則將對其徵收高達100%的關稅。

韓國晶片製造商正受到華府和首爾的雙重拉扯，雙方還在就韓國去年向美國做出的3,500億美元投資承諾進行談判，以換取美國降低關稅。

據悉，DRAM為處理器提供工作記憶體，而NAND則存儲手機、電腦和數據中心中的資料。

Solidigm連年虧損，美股上市前景引關注

自2020年SK海力士以90億美元從英特爾收購Solidigm以來，由於NAND市場長期低迷，該業務面臨多年虧損。

雖然在美國擴張可能協助SK海力士縮小與三星的市場份額差距，並抵禦來自中國的競爭，但到新工廠開始生產時需求將如何發展仍不清楚。增加新的半導體產能通常需要數年，而對前沿AI模型發展放緩的擔憂，給長期記憶體晶片需求前景蒙上陰影。

媒體上月報導稱，SK海力士正為Solidigm籌劃規模達5兆至10兆韓元的Pre-IPO融資。報導稱，Solidigm已開始招募負責SEC申報及對外財務揭露的高層，進一步強化了市場對其將在納斯達克上市的預期。SK海力士隨後回應稱，Solidigm正在評估各項提升競爭力的措施，但尚未作出任何決定。

若Solidigm成功在納斯達克掛牌，將標誌著SK海力士進一步深化其美國資本布局。這家韓國存儲晶片巨頭今年7月以每股149美元的價格發行了1.779億份美國存託憑證(ADR)，募資265億美元，刷新了外國公司赴美上市的募資紀錄。