三星（SSNLF.US）HBM4良率突破80%，正式進入「黃金良率」階段，第三季度營收預計增長三倍

智通財經APP獲悉，據報導，三星電子(SSNLF.US)第六代高頻寬記憶體HBM4的良率已從量產初期的不足60%大幅攀升至約80%，提前達到公司先前設定的年底目標。據悉，業界將80%的良率稱為「黃金良率」，這一突破意味著三星在HBM4的盈利能力和大規模供應上邁出關鍵一步。

今年2月，三星在全球率先啟動HBM4的量產供貨，但初期良率僅有不到六成。經過大約半年的製程優化，良率實現快速穩定。報導援引業內人士消息稱，三星原計劃在2026年底前達成80%良率，如今進度明顯超前。

針對良率提升的原因，報導指出，三星在熱壓非導電膜(TC-NCF)製程上的改進是良率提升的重要支撐；而其他分析人士則強調，HBM4所採用的1c DRAM基礎晶片良率的提升同樣功不可沒。

隨著「黃金良率」的兌現，三星的產能擴張和盈利改善預期顯著增強。公司明確，第三季HBM4的營收將較前一季增長逾三倍，且在下半年，HBM4占三星整體HBM營收的比重將超過六成。在市場份額方面，三星已將年底HBM市占率目標設定在約38%，與其在DRAM領域的份額看齊。

分析認為，HBM4產出的擴大，不僅能有力支撐英偉達(NVDA.US)下一代AI加速器Vera Rubin的生產，也有助於英偉達等大客戶實現供應鏈的多元化，擺脫對單一供應商的過度依賴。

韓國祥明大學系統半導體工程教授Lee Jong-hwan表示，從英偉達等大客戶的角度來看，供應鏈來源多元化顯然比依賴單一供應商更具優勢。三星若能充分利用HBM4供貨規模擴大的契機，將有望迅速鞏固其市場主導地位。

值得注意的是，三星的競爭對手SK海力士(SKHY.US)在HBM4上同樣進展迅速。據業內人士估算，SK海力士的HBM4良率也已達到約80%。憑藉其在多代HBM產品上積累的量產經驗，以及獨有的先進質量回流模塑底部填充(MR-MUF)技術，業界普遍預期SK海力士將在下半年順利推進產能提升。