大摩研报解读：传统存储没有长协未必是坏事，DDR4 和 SLC NAND 正处涨价最强周期

撰文：Rita

主流存储芯片的长期协议（LTAs）讨论如火如荼，但大摩认为传统存储没有长协未必是坏事。

摩根士丹利在 8月 14 日发布的研报中指出，DDR4、SLC NAND和 NOR Flash 三大传统存储产品的基本面正在持续改善，供需缺口扩大、定价权增强，而主流厂商退出 DDR4 供应的速度比预期更快。报告标题直接回应了市场争议：没有固定价格的 LTAs，反而让传统存储厂商在价格上涨周期中享有更大的定价弹性。

大摩将旺宏、华邦电、兆易创新和力积电的盈利预测全面上调，同时将 AP Memory 列为首选标的，认为市场对传统存储周期的可持续性存在低估。

DDR4 涨价延续至 4Q26，LTAs 缺失反成优势

市场普遍将 DDR4 的强势与服务器需求挂钩，但大摩看到更广的需求来源，消费电子应用也在拉动 DDR4 需求。全球主流存储厂商正在加速退出 DDR4 供应，供给端持续收紧。大摩预计 DDR4 3Q26 涨价 50%，4Q26 再涨 10%以上。在 LTAs 缺位的情况下，现货定价机制让传统存储厂商能够完全捕捉涨价红利，而不受长协价格下限的约束。

SLC NAND 是最高确信度涨价品种

SLC NAND 是大摩在本轮周期中“最高确信度”的定价判断。大摩预计 3Q26和 4Q26 价格涨幅均超过 50%，驱动因素包括持续的产能约束和供应商缺乏将晶圆启动分配给传统产品的意愿。行业讨论显示供给紧张将延续至 2027 年，本轮周期的长度可能超出投资者预期。

MLC 需求向 SLC 迁移也进一步支撑了价格上行空间。大摩认为 SLC NAND 在1H27 仍有涨价可能，这是当前市场预期差最大的领域（市场普遍低估其涨价持续性）。

NOR Flash 涨价动能延续至 1H27

NOR Flash 基本面同样在改善。经过近期的涨价后，大摩预计 4Q26 还将有一轮上调，动能可能延续至 1H27。供给增长持续受限，而需求端受到工业、汽车、网络和边缘 AI 应用的支撑，AI 服务器的需求也保持强劲。大摩的供需模型显示，NOR Flash 在高密度层级处于供不应求状态，供给增速低于需求增速。

大摩上调四家传统存储盈利预测

大摩在传统存储标的中的偏好排序为：AP Memory > 兆易创新 > 旺宏 > 华邦电 > 力积电 > 南亚科。AP Memory因 SiCap 业务成为首选。

盈利上修幅度最为显著的是旺宏和兆易创新。旺宏 2026至 2028 年每股收益分别上调 139%、144%和 147%，目标价维持 220 元新台币不变，熊市情景从 130 元下修至 100 元。兆易创新 2026至 2028 年每股收益分别上调 108%、49%和 48%，目标价从 888 元人民币下修至 750 元，反映长鑫存储 IPO 后的板块估值下移。华邦电 2026至 2028 年每股收益上调 17%、30%和 34%，目标价维持 288 元新台币。力积电 2026至 2028 年每股收益上调 18%、17%和 13%，目标价维持 111 元新台币。

传统存储的涨价逻辑与受 LTAs 锁定价格的主流存储不同。没有 LTAs 意味着没有价格下限的保护，也没有价格上限的束缚。当供给缺口扩大、定价权掌握在供应商手中时，这就是最大的利润弹性来源。大摩的核心判断是：DDR4 的强势至少贯穿 2H26，SLC NAND和 NOR Flash 的涨价动能可能延续至 1H27。