SK Hynix (SKHY.US) đầu tư 38 tỷ USD xây dựng hai nhà máy wafer mới, mở rộng công suất lưu trữ AI từng bước đi vào thực tiễn

Theo thông tin từ ứng dụng thông tin tài chính ZhitongCaijing, SK hynix (mã chứng khoán SKHY.US), nhà sản xuất chip nhớ lớn thứ hai thế giới, đã thông báo vào thứ Sáu rằng Hội đồng Quản trị công ty đã phê duyệt kế hoạch đầu tư lớn tổng trị giá khoảng 54 nghìn tỷ won Hàn Quốc (tương đương 38 tỷ USD) để xây dựng hai nhà máy wafer mới tại Yongin và Cheongju, Hàn Quốc, nhằm đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng của thị trường bộ nhớ trong thời đại AI. Đây là bước tiến thực chất nhất của SK hynix trong việc mở rộng công suất kể từ khi chính phủ Hàn Quốc công bố chiến lược quốc gia “Ba Dự án Siêu cấp” vào tháng 6, đánh dấu tốc độ mở rộng công suất chưa từng có của nhà lãnh đạo HBM này.

Đồng thời, công ty cũng thông báo sẽ chi trả cổ tức 375 won/cổ phiếu và tiết lộ đang "tích cực nghiên cứu" các biện pháp bổ sung nhằm nâng cao giá trị cổ đông, với kế hoạch chi tiết sẽ được hoàn thiện và công bố trong quý 3. Sự kết hợp hiếm gặp giữa “mở rộng sản xuất + hoàn lại lợi nhuận” này đã phát đi tín hiệu kép tới thị trường, đặc biệt trong bối cảnh ngành công nghiệp chip nhớ đang đối mặt nhiều tranh cãi về chu kỳ kinh doanh.

Bức tranh đầu tư toàn cảnh: DRAM và NAND đồng hành, tiến độ thi công rút ngắn đáng kể

Yongin Y2 là nhà máy wafer thứ hai trong tổng số bốn nhà máy được quy hoạch tại cụm bán dẫn Yongin của SK hynix, với tổng diện tích sàn khoảng 341.000 pyeong (tương đương 1,13 triệu m2). Dự án dự kiến khởi công vào tháng 7/2025 và phòng sạch đầu tiên sẽ đi vào hoạt động vào tháng 6/2029, chủ yếu sản xuất các sản phẩm DRAM thế hệ mới như HBM. Hiện tại, tiến độ xây dựng nhà máy wafer Y1 đầu tiên tại Yongin đang diễn ra thuận lợi, dự kiến phòng sạch đầu tiên sẽ được đưa vào hoạt động vào tháng 2 năm sau.

Cheongju M17 sẽ hoạt động như một cơ sở chuyên sản xuất bộ nhớ NAND, với tổng diện tích sàn khoảng 206.000 pyeong (tương đương 680.000 m2). SK hynix chọn xây dựng nhà máy mới ở Cheongju vì khu công nghiệp này đã có ba nhà máy sản xuất NAND là M11, M12 và M15, nên nhà máy wafer mới có thể phối hợp hiệu quả với các dây chuyền hiện hữu, đồng thời các cơ sở hạ tầng như mặt bằng, điện và nước đã cơ bản hoàn thành. M17 dự kiến khởi công vào tháng 2 năm sau và phòng sạch đầu tiên sẽ hoạt động vào tháng 12/2028.

Điều đáng chú ý hơn là tiến độ thi công của toàn bộ cụm bán dẫn Yongin đã được SK hynix rút ngắn đáng kể, từ mốc hoàn thành dự kiến năm 2045 xuống còn năm 2033, tức rút ngắn 12 năm. Việc xây dựng nhà máy Y2 lần này chính là bước then chốt của giai đoạn mở rộng thứ hai, khoản đầu tư sẽ được triển khai từng giai đoạn cho tới tháng 10/2031.

Logic chiến lược: Đổi mới mô hình từ “linh kiện” sang “cơ sở hạ tầng cốt lõi của AI”

Động thái mở rộng sản xuất đầy tham vọng lần này của SK hynix xuất phát từ việc hãng đánh giá lại căn bản thuộc tính ngành công nghiệp chip nhớ. Công ty tuyên bố rõ rằng xu hướng này “không chỉ là sự bùng nổ tạm thời của ngành”, mà bắt nguồn từ việc bộ nhớ đã nâng cấp từ bộ phận linh kiện thông thường trở thành cơ sở hạ tầng cốt lõi quyết định hiệu suất AI, bước vào giai đoạn tăng trưởng mang tính cấu trúc.

Nhận định này đã bắt đầu được thị trường xác thực. Theo thông tin trong ngành, toàn bộ năng lực sản xuất DRAM và HBM trong năm 2027 của Samsung Electronics, Micron và SK hynix đều đã được phân bổ xong, chủ yếu là cho các khách hàng lớn dài hạn lẫn các nhà mua vừa và nhỏ. Thông tin tổng hợp từ nhiều nguồn trong chuỗi cung ứng cho thấy phần lớn khách hàng chỉ nhận được 60% đến 70% so với khối lượng yêu cầu ban đầu.

Theo dự báo của tổ chức nghiên cứu thị trường Omdia, từ năm 2025 đến 2030, nhu cầu thị trường đối với DRAM và NAND sẽ tăng trưởng bình quân hàng năm khoảng 19%. SK hynix nhấn mạnh trong thông cáo rằng, đây “không chỉ là sự bùng nổ tạm thời của ngành, mà bộ nhớ đã phát triển thành cơ sở hạ tầng cốt lõi quyết định hiệu suất AI, bước vào giai đoạn tăng trưởng cấu trúc rõ rệt”.

Trong tuyên bố chính thức, công ty đã diễn giải chiến lược cốt lõi của mình: “Trong kỷ nguyên AI, chỉ có năng lực công nghệ thôi là chưa đủ để duy trì lợi thế; khả năng giao hàng đúng thời gian theo nhu cầu khách hàng mới là yếu tố cạnh tranh thực sự. Quyết định đầu tư này được đưa ra sau khi đánh giá toàn diện nhu cầu thị trường”.

Về cấu trúc nhu cầu, NAND đang chứng kiến sự tăng trưởng nhanh chóng chủ yếu nhờ mảng ổ cứng thể rắn doanh nghiệp (eSSD). Đồng thời, nhu cầu bộ nhớ đệm KV trong quá trình suy luận AI tăng cao và sự phát triển của các ứng dụng AI mang tính đại lý (Agentic) và vật lý (Physical) dự kiến sẽ còn mở rộng hơn nữa các kịch bản ứng dụng bộ nhớ NAND.

SK hynix cho biết: “Khoản đầu tư này không chỉ củng cố nền tảng cho tăng trưởng tương lai mà còn tăng cường năng lực cạnh tranh của hệ sinh thái ngành bán dẫn Hàn Quốc, thúc đẩy phát triển kinh tế khu vực. Đầu tư quy mô lớn đồng bộ tại Yongin và Cheongju kỳ vọng mở ra nhiều cơ hội tăng trưởng hợp tác cho các doanh nghiệp đối tác.”

Công ty đồng thời nhấn mạnh sẽ “chủ động phối hợp với khách hàng về nhu cầu trung và dài hạn, chủ động bố trí cơ sở sản xuất và sẽ mở rộng sản xuất từng giai đoạn dựa theo thời điểm nhu cầu thực tế của khách hàng”.

Đồng thời, khoản đầu tư lần này cũng là một phần trong chiến lược quốc gia của Hàn Quốc. Trước đó, SK hynix đã tuyên bố đầu tư 600 nghìn tỷ won vào cụm bán dẫn Yongin và 100 nghìn tỷ won vào cơ sở sản xuất ở Cheongju. Tiến độ hoàn thành toàn cụm Yongin đã được rút ngắn từ năm 2045 xuống còn 2033. Hiện tại, các hạ tầng điện và cấp nước giai đoạn 1 để hỗ trợ vận hành nhà máy Y2 đã hoàn thành 99%.

Lợi nhuận cổ đông: Cổ tức 375 won/cổ phiếu + công bố biện pháp bổ sung trong quý 3

Bên cạnh việc mở rộng quy mô sản xuất, SK hynix cũng đồng thời phát đi tín hiệu hiếm hoi hoàn lại lợi nhuận cho cổ đông. Công ty công bố chi trả cổ tức bằng tiền mặt ở mức 375 won cho mỗi cổ phiếu. Đáng chú ý hơn, SK hynix nêu rõ trong hồ sơ công bố với cơ quan quản lý rằng đang “tích cực xem xét” các biện pháp hoàn lại giá trị cho cổ đông để tăng giá trị doanh nghiệp, dự kiến sẽ hoàn thiện và công bố chi tiết trong quý 3, sớm hơn so với thời điểm công bố kế hoạch dịp đầu năm.

Chiến lược kết hợp “mở rộng sản xuất + hoàn lại giá trị cho cổ đông” này, trong bối cảnh chu kỳ ngành chip nhớ gây nhiều tranh cãi hiện nay, không chỉ thể hiện niềm tin của công ty vào dòng tiền trong tương lai, mà còn phản hồi mối lo ngại từ các nhà đầu tư về nguy cơ khoản đầu tư vốn khổng lồ sẽ làm xói mòn lợi ích cổ đông.

Giá cổ phiếu chịu áp lực và câu chuyện phân hóa dài hạn

Mặc dù kế hoạch đầu tư rất quy mô, phản ứng của thị trường trong ngày lại không mấy tích cực. Ngày 7/8, chỉ số KOSPI Hàn Quốc giảm 0,60% xuống còn 6258,71 điểm, tiếp tục tuần giảm thứ bảy liên tiếp, lập kỷ lục chuỗi giảm dài nhất kể từ tháng 12/2022. Cổ phiếu SK hynix giảm gần 5% trong ngày, tổng mức giảm trong gần một tháng qua đã vượt 35%.

Dữ liệu thị trường này phản ánh mâu thuẫn cốt lõi hiện tại của ngành công nghiệp chip nhớ: sự giằng co mạnh giữa câu chuyện nhu cầu dài hạn và lo ngại về chu kỳ ngắn hạn.

Luận điểm của phe lạc quan là: LTA (Thỏa thuận cung cấp dài hạn) đang thay đổi căn bản tính chu kỳ của ngành bộ nhớ. SK hynix đã hoàn thành thương lượng LTA với khoảng 10 khách hàng, tỷ lệ hợp đồng dài hạn chiếm khoảng 50-60%, phần lớn kỳ hạn năm năm. Những thỏa thuận này có điều khoản về giá và khách hàng đặt cọc trước, giúp bảo vệ lợi nhuận trước rủi ro giảm sâu. Omdia dự báo đến năm 2030 nhu cầu DRAM và NAND sẽ tăng trưởng bình quân 19%/năm, trong khi công suất của SK hynix đã được phân bổ đến 2027.

Phe bi quan lại lo ngại: Tỷ suất lợi nhuận kỷ lục thường là tín hiệu báo đỉnh chu kỳ. Khoản chi khổng lồ 54 nghìn tỷ won có thể khiến tình trạng dư cung thêm trầm trọng; chỉ cần nhu cầu AI tăng trưởng chậm lại hoặc các khách hàng siêu lớn cắt giảm đầu tư, giá chip nhớ có thể lao dốc mạnh. Tỷ số P/E kỳ vọng gần 6 lần hiện tại của SK hynix trông có vẻ “rẻ”, nhưng khi chu kỳ đảo chiều, lợi nhuận lao dốc, định giá P/E sẽ bị đẩy lên nhanh chóng.