Koreya va Yaponiya o'rtasida NAND raqobati qizg'in: Samsung va Kioxia bir vaqtning o'zida eng so'nggi AI saqlash chiplarini ommaviy ishlab chiqa boshladi

Dunyo bo'yicha NAND bozori tuzilmasi navbatdagi texnologik poygani boshidan kechirmoqda. Yaponiyaning Kioxia kompaniyasi joriy yilda PCIe 6.0 korporativ SSD hamda UFS 5.0 mobil saqlash yechimlari ommaviy ishlab chiqarilishini jadallik bilan yo'lga qo'yib, to'g'ridan-to'g'ri Samsung Electronics’ning AI sohasidagi yetakchilik mavqeiga chaqiriq tashlamoqda. Janubiy Koreya va Yaponiya saqlash gigantlari keyingi avlod mahsulotlari olish yo'nalishda raqobat tobora kuchaymoqda.

Koreya texnologiya OAVsi ZDNet’ning xabar berishicha, Kioxia iyul oyi boshida Yaponiyaning Iwate prefekturasi, Kitakami zavodida o'ninchi avlod (BiCS 10) 3D NAND ommaviy ishlab chiqarishini boshlagan va bu asosda PCIe 6.0 korporativ SSD – CM10’ni tijoratlashtirishga muvaffaq bo‘lgan. Shu yilning o‘zida Samsung Electronics ham PCIe 6.0 eSSD mahsuloti PM1763 ommaviy ishlab chiqarilishini e’lon qilib, o'ninchi avlod V-NAND (V10) ham shu oy ommaviy ishlab chiqarilishini boshlashini ma’lum qildi. Bu, ikkala kompaniya uchun asosiy burilish nuqtasida to‘g‘ridan-to‘g‘ri raqobatga olib kelmoqda. Ularning yangi avlod mahsulotlarini birgalikda tijoratlashtirish harakatlari AI ma’lumot markazlari va qurilmalarda saqlash samaradorligini tezlashtiradi va mavjud yetkazib berish tuzilmasiga chuqur ta’sir ko‘rsatadi.

Bozor ulushiga nazar tashlasak, TrendForce tadqiqot agentligi ma’lumotiga ko‘ra, 2026 yilning birinchi choragida Samsung Electronics 31.6% ko‘rsatkich bilan jahon NAND bozorida yetakchilik qiladi, SK Hynix 17.6% bilan ikkinchi, Kioxia esa 13.9% bilan uchinchi o‘rinda. Kioxianing bozor hajmi koreyalik gigantlardan kichikroq bo‘lsa-da, u AI yuqori samarali saqlash bozorida texnologik taraqqiyotini tezlashtirmoqda. Bu esa raqobatda jiddiy bosim keltiradi.

Kioxia’ning navbatdagi texnologik yurishi o'ninchi avlod NAND asosida olib borilmoqda. BiCS 10 – 332 qatlamli stek texnologiyasi asosida ishlab chiqariladi va iyul oyi boshidan Kitakami K2 zavodida ommaviy ishlab chiqarilmoqda. Samsung Electronics va SK Hynix hozirda to‘qqizinchi avlod NAND’ni joriy etgan, do‘stona, har bir avloddagi qatlamlar soni har xil bo‘lishiga qaramay, Kioxia 300 va undan ortiq qatlamli yuqori stek NAND ishlab chiqarishni birinchi bo‘lib boshlagani muhim texnologik yutuqdir.

Shu asosda, Kioxia ma’lumot markazlari uchun PCIe 6.0 eSSD CM10’ni taqdim etdi. PCIe 6.0 – bu yil bozorga chiqqan eng so‘nggi interfeys standarti bo‘lib, Kioxia rasmiy ma’lumotiga ko‘ra, CM10 avvalgi mahsulotga nisbatan ketma-ket o‘qish tezligini 92% gacha, tasodifiy o‘qish tezligini esa 85% atrofida oshirgan.

Qurilma darajasidagi AI yo‘nalishi uchun esa Kioxia joriy yil oxirigacha UFS 5.0 saqlash yechimi ommaviy ishlab chiqarilishini boshlaydi. UFS 5.0 – bu yil bozorga chiqqan eng yangi ko‘milgan saqlash standarti bo‘lib, asosan mobil NAND’larda qo‘llaniladi hamda ma’lumotlarni qayta ishlash tezligi avvalgi UFS 4.1 bilan taqqoslaganda 2 barobar ko‘p. Kioxia UFS 5.0 yechimi o‘zining maxsus ishlab chiqilgan kontrollyori va sakkizinchi avlod NAND bilan jihozlangan.

Samsung Electronics ham joriy yilda NAND bozorida faol. PM1763 iyul boshida ommaviy ishlab chiqarilishni boshladi, unda to‘qqizinchi avlod V-NAND va 4 nanometrli yangi avlod kontrollyori mavjud va bu Samsung uchun PCIe 6.0 bozoridagi ilk tijorat mahsuloti hisoblanadi.

Mobil saqlash bozorida, Samsung joriy yil iyun oyida UFS 5.0 mahsulotini ishlab chiqishni tamomlagan va bu mahsulotni to‘rtinchi chorakda ommaviy ishlab chiqarishini rejalashtirmoqda. Ushbu mahsulot to‘qqizinchi avlod NAND’ga asoslangan bo‘lib, 10.8GB/s ma’lumot uzatish o‘tkazuvchanligiga erishadi va Samsung uni sanoatdagi eng yuqori darajaga mos keluvchi mahsulot deb hisoblaydi hamda energiya samaradorligini ham ta’minlaydi.

Bozorda eng ko‘proq e’tiborni jalb qilgani – Samsung V10 NAND ishlab chiqarilishini boshlashi. V10 stek qatlamlari soni 430dan ortiqqa yetishi kutiladi va unda ilk bor hybrid bonding texnologiyasi hamda uch karra stek (3-Stack) arxitekturasi qo‘llaniladi, bu esa Samsung’ning NAND texnologiyasi sohasida yangi bosqichga ko‘tarilganidan dalolat. Yaqinda yarimo‘tkazgich sanoati mutaxassislari ma’lum qilishicha, Samsung yaqinda V10’dan ichki mahsulot ishlab chiqarish roziligi (PRA) bosqichini yakunladi va ommaviy ishlab chiqarish rejasini rasman e’lon qildi. Biroq, ayni paytda keng ko‘lamdagi ishlab chiqarish qurilmalariga investitsiya hali to‘liq boshlanmagan, shuning uchun dastlabki mahsulot hajmi nisbatan past bo‘lishi kutilmoqda.

Bu bosqichda Koreya va Yaponiyaning yirik kompaniyalari AI dastur maydonlariga asosiy e’tiborni qaratmoqda. PCIe 6.0 AI ma’lumot markazlari uchun yuqori o‘tkazuvchanlikka ega saqlash ehtiyojlariga xizmat qiladi, UFS 5.0 esa qurilma darajasida AI uskunalarning lokal saqlash samaradorligini tez oshirish ehtiyojini qamrab oladi – har ikkala mahsulot ham joriy AI sohasining kengayish yo‘nalishlariga to‘la mos keladi.

Kioxia tezkor javobidan ko‘rinadiki, global NAND bozorida texnologik yangilanish davri qisqarib bormoqda va yirik kompaniyalar yangi standart mahsulotlarni tijoratlashtirish bo‘yicha vaqtda asosiy tafovutlarni qisqartirmoqda. AI infratuzilmasiga sarmoya kirituvchilar uchun saqlash samaradorligi borasida mavjud bo‘lgan cheklovlar aynan shu yangi standart mahsulotlarning keng ommaviy ishlab chiqarilishi bilan joriy va kelgusi yillarda amalda bartaraf etilishi kutilmoqda.