12-шаровий HBM4E від Samsung пройшов перевірку якості у клієнтів, таких як NVIDIA
智通财经2026/10/07 08:46За повідомленням Korean Economic Daily, підтверджено, що продукт наступного покоління високошвидкісної пам’яті з великим пропусканням "12-шаровий HBM4E" від Samsung Electronics пройшов перевірку якості від Nvidia та основних операторів гіпермасштабних дата-центрів. Цей тест є процесом перевірки продукту відповідно до стандартів, встановлених клієнтами. Однак на даний момент підтверджено лише проходження перевірки якості, а щодо обсягів поставки кожному клієнту, розміру контракту та часу початку масового постачання поки інформації немає. Експерти галузі вважають, що із поступовим переходом ринку до нової генерації продукції, Samsung може отримати перевагу в розширенні можливостей постачання на ринку високопродуктивної пам’яті для AI у конкуренції з SK Hynix та Micron.
Відмова від відповідальності: зміст цієї статті відображає виключно думку автора і не представляє платформу в будь-якій якості. Ця стаття не повинна бути орієнтиром під час прийняття інвестиційних рішень.
Вас також може зацікавити
Опитування Reuters: дохідність 10-річних державних облігацій США протягом року ймовірно знизиться до 4,75%
Згідно з опитуванням Reuters: очікується, що прибутковість 10-річних державних облігацій США протягом трьох місяців знизиться до 5,00%, протягом шести місяців — до 4,90%, а протягом року — до 4,75% (у вересневому опитуванні ці показники складали відповідно 4,67%, 4,65% та 4,55%).

UBS підвищує прогноз цін на нафту на грудень, Brent може досягти 100 доларів за барель до кінця року
UBS Group підвищила прогноз ціни на нафту в грудні на 5 доларів за барель, очікуючи, що Brent до кінця року досягне 100 доларів за барель, а WTI — 96 доларів за барель.

Новий експериментальний майданчик від Google Playground запущено сьогодні
Google (GOOG.US): експериментальна нова платформа Playground офіційно запущена сьогодні.
CoreWeave будує центр обробки даних потужністю 240 мегават у Індії
Coreweave (CRWV.US) побудує в Індії дата-центр потужністю 240 мегават.