Rywalizacja HBM się zaostrza! Samsung planuje zwiększyć moce produkcyjne w technologii 4 nm, presja konkurencyjna na SK Hynix (SKHY.US) i Micron (MU.US) gwałtownie rośnie

Aplikacja Jin Tong Finance (智通财经APP) informuje, że Samsung Electronics przygotowuje się do zwiększenia zdolności produkcyjnych zaawansowanego foundry wskutek gwałtownego wzrostu popytu na nową generację układów pamięci, a linie produkcyjne 4 nm firmy zbliżają się do pełnej wydajności operacyjnej.

Ten ruch może nasilić konkurencję z SK hynix (SKHY.US) i Micron (MU.US) — trzy największe firmy produkujące pamięci walczą o udziały w szybko rozwijającym się rynku chipów AI.

Samsung rozszerza moce produkcyjne pamięci

Koreańskie media podają, że Samsung rozważa rozszerzenie możliwości produkcji wafli 4 nm, aby wesprzeć produkcję bazowych matryc (base die) do HBM4. Baza matrycy to warstwa logiczna umieszczona pod stosem DRAM, która łączy pamięć z akceleratorem AI.

W odróżnieniu od SK hynix, który produkuje bazowe matryce HBM4 przy użyciu procesu TSMC 12 nm, Samsung wykorzystuje własny proces 4 nm do wytwarzania tego komponentu wewnętrznie.

Samsung przeznaczył ponad połowę swojej bieżącej zdolności produkcyjnej 4 nm na produkcję bazowych matryc do HBM4. Zapotrzebowanie zgłaszają także inni klienci, w tym Groq 3 LPU firmy Nvidia, co skłoniło Samsunga do podniesienia cen nowych zamówień 4 nm.

Wyścig HBM nabiera tempa

To rozszerzenie produkcji następuje w momencie, gdy Samsung przyspiesza zwiększanie zdolności produkcyjnych HBM4. Firma spodziewa się, że przychody z HBM4 wzrosną w trzecim kwartale ponad trzykrotnie w porównaniu do poprzedniego kwartału, a w drugiej połowie roku HBM4 będzie odpowiadać za ponad 60% ogólnych przychodów z HBM.

Wzrost Samsunga już przekształca układ sił konkurencyjnych. Według danych Counterpoint, udział przychodów Samsunga z HBM wzrósł z 21% w pierwszym kwartale do 33% w drugim kwartale, podczas gdy SK hynix ma 50%, a Micron — 18%.

Firma rozważa także budowę nowej linii produkcyjnej 2 nm dla HBM5; oczekuje się, że bazowe matryce HBM5 będą wytwarzane w technologii 2 nm. To może jeszcze silniej umocnić strategię pionowej integracji Samsunga, łącząc pamięć, produkcję logiczną i zaawansowane pakowanie w jeden ekosystem.

SK hynix i Micron pod presją

Dla SK hynix i Micron wyzwaniem jest szybki wzrost produkcji HBM4 przez Samsunga, który następuje w momencie, gdy inwestycje w infrastrukturę AI napędzają niespotykany dotąd popyt na pamięci o dużej przepustowości.

W czerwcu tego roku Samsung jako pierwszy producent ukończył walidację HBM4 i rozpoczął wysyłkę, podczas gdy SK hynix mierzy się z opóźnieniami w certyfikacji, a Micron pozostaje skoncentrowany na HBM3E.

Citi prognozuje, że w przyszłym roku globalne zapotrzebowanie na bity HBM wzrośnie o 62%, co może doprowadzić do niedoborów na rynku. Oznacza to, że ekspansja zdolności produkcyjnych Samsunga pozwoli mu zdobyć większy udział w szybko rosnącym segmencie.