サムスン電子：来年上半期に第7世代HBM4Eの量産を開始

三星電子：「来年上半期に第7世代HBM4Eの量産を開始、ファウンドリー事業は2桁成長を達成」三星電子の2023年第3四半期におけるHBM4の売上高は前四半期の3倍以上に増加しました。今後の注目点は、既存製品の拡大が2027年のHBM4E量産やファウンドリー事業の成長まで続くかどうかです。HBMはAIアクセラレーターに用いられる高帯域幅メモリです。三星電子は今年5月、顧客に12層のHBM4Eサンプルを出荷しており、今回は2027年上半期の量産開始および下半期の生産量増加計画を提示しました。第3四半期のDRAM平均販売価格は前四半期比で20%上昇し、NANDも10%上昇しました。ファウンドリー事業はHBM下部の計算チップ―ベースダイの収益と連動しています。三星電子は、第4四半期のファウンドリー収益が前四半期比および前年同期比の両方で2桁成長を達成すると予想しています。会社の業績資料によると、第3四半期のモバイルおよびネットワーク事業では6,000億ウォンの営業損失を計上しており、完成品事業は依然としてコスト圧力に直面しています。量産スケジュールやファウンドリー事業の成長は会社の計画段階であり、まだ実現された実績ではありません。HBM4Eの顧客認証や実際の出荷、また生産量増加が収益力に転換できるかについて注意が必要です。