La competizione NAND tra Corea e Giappone si fa intensa: Samsung e Kioxia producono in serie contemporaneamente i chip di memoria AI di ultima generazione

Il panorama globale del mercato NAND sta vivendo una nuova ondata di corsa tecnologica. Quest'anno, Kioxia in Giappone sta accelerando la produzione di massa di soluzioni di archiviazione PCIe 6.0 di livello enterprise e UFS 5.0 per dispositivi mobili, sfidando direttamente la posizione di leader di Samsung Electronics nel campo dell'archiviazione AI. Il confronto tra i colossi giapponesi e sudcoreani del settore è ora più acceso che mai con il lancio di una nuova generazione di prodotti.

Secondo quanto riportato dal media tecnologico sudcoreano ZDNet, Kioxia ha avviato la produzione di massa della decima generazione (BiCS 10) di 3D NAND presso la fabbrica di Kitakami, nella prefettura di Iwate, all'inizio di luglio di quest’anno, realizzando sulla base di ciò la commercializzazione dell’SSD enterprise PCIe 6.0 CM10. Nello stesso periodo, Samsung Electronics ha annunciato l’inizio della produzione di massa del prodotto PCIe 6.0 eSSD PM1763, rivelando inoltre che la sua decima generazione di V-NAND (V10) entrerà in produzione di massa durante questo mese, ponendosi così in competizione diretta con Kioxia su punti chiave. L'avvio simultaneo della commercializzazione dei prodotti di ultima generazione da parte di entrambe le aziende accelererà il processo di upgrade delle prestazioni di archiviazione nei data center AI e nell'AI edge, influenzando in modo significativo l’attuale struttura dell’offerta.

Per quanto riguarda la quota di mercato, secondo i dati della società di ricerche TrendForce, nel primo trimestre 2026 Samsung Electronics manteneva il primo posto del mercato globale NAND con il 31,6%, seguita da SK Hynix con il 17,6% e Kioxia al terzo posto con il 13,9%. Sebbene Kioxia sia di dimensioni inferiori rispetto alle aziende sudcoreane, la velocità con cui spinge l’innovazione tecnica nel segmento high-performance per l’AI sta aumentando, rendendo la competizione sempre più serrata.

Questa offensiva tecnica di Kioxia si basa principalmente sulla decima generazione di NAND. BiCS 10 utilizza una tecnologia di impilamento a 332 strati, con produzione di massa avviata a luglio nello stabilimento K2 di Kitakami. Samsung Electronics e SK Hynix hanno già completato la produzione di massa della nona generazione di NAND. Sebbene vi siano differenze tra i produttori riguardo la definizione degli strati per ogni generazione, rendendo difficile un confronto diretto, il raggiungimento della produzione di massa di NAND con oltre 300 strati da parte di Kioxia rappresenta un traguardo tecnologico significativo.

Sulla base di ciò, Kioxia ha lanciato il PCIe 6.0 eSSD CM10 dedicato al mercato dei data center. PCIe 6.0 è il più recente standard di interfaccia commercializzato quest'anno e secondo dati ufficiali di Kioxia, il CM10 offre prestazioni di lettura sequenziale superiori del 92% rispetto alla generazione precedente e circa l’85% in più nella lettura casuale.

Per quanto riguarda l’AI edge, Kioxia prevede di iniziare la produzione di massa delle soluzioni di archiviazione UFS 5.0 entro la fine dell’anno. UFS 5.0, entrato in commercio quest’anno, è il più recente standard di archiviazione embedded, principalmente utilizzato in applicazioni mobili NAND, offrendo una velocità di elaborazione dati circa doppia rispetto alla precedente generazione UFS 4.1. La soluzione UFS 5.0 di Kioxia integra un controller sviluppato internamente e la NAND di ottava generazione.

Anche Samsung Electronics si è mossa con decisione nel campo NAND quest’anno. Il modello PM1763 è entrato in produzione di massa all’inizio di luglio, integrando la nona generazione di V-NAND e un controller di nuova generazione a 4 nanometri, diventando così il primo prodotto PCIe 6.0 commercializzato da Samsung.

Per l’archiviazione mobile, Samsung ha completato a giugno lo sviluppo dei prodotti UFS 5.0, pianificando di avviarne la produzione di massa nel quarto trimestre di quest’anno. Basato sulla nona generazione di NAND, questo prodotto offre una larghezza di banda di trasferimento dati di 10,8GB/s, un valore che Samsung considera il massimo nel settore, combinando anche efficienza energetica.

L’attenzione del mercato si concentra soprattutto sull’avvio della produzione di V10 NAND da parte di Samsung. Si stima che V10 adotti un impilamento superiore a 430 strati, introducendo per la prima volta la tecnologia di Hybrid Bonding e un’architettura di impilamento a tre strati (3-Stack), segnando così una nuova era per la tecnologia NAND di Samsung. Secondo fonti del settore dei semiconduttori, Samsung ha recentemente ottenuto l’approvazione interna per la produzione di massa di V10 (PRA) e ha annunciato formalmente il piano di produzione di massa. Tuttavia, la stessa fonte sottolinea che gli investimenti su larga scala in apparecchiature produttive devono ancora essere completati e che la produzione iniziale resterà probabilmente su livelli ridotti.

Il punto focale della competizione tra le aziende giapponesi e sudcoreane in questa fase è rappresentato dalle applicazioni AI. PCIe 6.0 risponde alle esigenze di archiviazione a throughput elevato dei data center AI, mentre UFS 5.0 mira a migliorare rapidamente le prestazioni di archiviazione locale nei dispositivi AI edge, due linee di prodotto perfettamente in sintonia con l’attuale espansione del settore AI.

La rapidità con cui Kioxia sta seguendo Samsung dimostra che il ciclo di innovazione tecnica sul mercato NAND globale si sta accorciando e che le finestre temporali per la commercializzazione dei prodotti di nuova generazione tra i principali produttori si stanno notevolmente riducendo. Per gli investitori nell’infrastruttura AI, i colli di bottiglia sulle prestazioni degli apparati di archiviazione potrebbero essere effettivamente superati tra quest’anno e il prossimo grazie alla produzione di massa dei nuovi standard.