Samsung adoptera le procédé 3 nm de TSMC pour produire les substrats HBM personnalisés de NVIDIA.

Selon un article publié dimanche par le Seoul Economic Daily, Samsung Electronics va adopter le procédé 3 nm de TSMC pour fabriquer les wafers de base des prochaines puces HBM personnalisées de Nvidia. Cette démarche marquera la première collaboration de Samsung avec TSMC lors de la phase de fabrication HBM. Le journal, citant des sources industrielles, indique que Nvidia a demandé à Samsung, SK Hynix et Micron Technology d’utiliser la technologie de TSMC pour produire les wafers de base NVHBM, et d’intégrer la sixième génération de technologie DRAM dans la fabrication de leurs puces principales. Selon l’entreprise, le NVHBM, lancé en août de cette année, intègre le contrôleur mémoire personnalisé de Nvidia directement dans le substrat, visant à faciliter une mise en œuvre standardisée entre plusieurs fournisseurs de mémoire. D’après le Seoul Economic Daily, après une évaluation interne, Samsung a accepté la demande de Nvidia tout en prévoyant de poursuivre une production autonome pour les HBM standards, ainsi que pour d’autres produits personnalisés à destination de clients distincts. Le journal, citant des sources, précise également que Samsung évalue encore la possibilité de faire fabriquer des wafers de base NVHBM dans ses propres fonderies si la demande devait excéder la capacité de production de TSMC.