Samsung Electronics doublera la production de HBM4 et HBM4E l'année prochaine

On estime que la production de la série HBM4 de Samsung Electronics atteindra au moins le double de celle de cette année l'année prochaine, y compris la mémoire à large bande passante de sixième génération (HBM4) et la septième génération HBM (HBM4E). Auparavant, l'entreprise prévoyait d'augmenter la demande de « substrats en verre » à 2,5 fois celle de cette année. Le substrat en verre est un support en verre servant à supporter les tranches lors de l'amincissement de la DRAM utilisée pour HBM. Selon les informations du secteur des semi-conducteurs du 20, Samsung Electronics portera le volume de nettoyage externalisé des substrats en verre, indispensables dans le processus de production de HBM, de 20 000 unités par mois cette année à 50 000 unités par mois l'année prochaine. L’an dernier, seuls 10 000 substrats en verre par mois étaient nécessaires, ce qui signifie que le nombre de cette année est le double de celui de l’année dernière et celui de l’année prochaine sera 2,5 fois plus élevé que cette année.Les substrats en verre sont des supports temporaires fixés au dos de la tranche de DRAM utilisée pour le HBM, afin d’éviter que la tranche ne se déforme ou se fissure lors du meulage, de l’amincissement et du perçage. Comme le HBM nécessite d’empiler plusieurs puces de DRAM dans une épaisseur limitée, à mesure que le nombre de couches augmente, la technique d’amincissement des tranches et le contrôle du gauchissement deviennent plus importants.Samsung Electronics se concentre sur l’expansion de la production des HBM4 et HBM4E, avec une priorité donnée aux produits empilés de 12 couches et plus. Selon l’analyse de l’industrie, même si les substrats en verre sont réutilisés après nettoyage, et que leur quantité varie selon les procédés et les rendements, le fait que le volume associé soit multiplié par 2,5 signifie très probablement que la production de HBM4 et HBM4E atteindra au moins le double de celle de cette année.En février de cette année, Samsung Electronics a commencé à produire en masse et à expédier le HBM4, qui utilise une DRAM de niveau 10nm de sixième génération (1c) et une puce de base fabriquée avec un procédé de 4nm (nm étant le milliardième de mètre). En mai, l'entreprise a également fourni des échantillons de HBM4E 12-High à des clients, dont NVIDIA.Le secteur s’attend à ce qu’en mesurant la production mensuelle de tranches, la capacité de production de HBM de Samsung Electronics passe d’environ 180 000 tranches cette année à environ 250 000 l’année prochaine, soit une augmentation de près de 40 %. Concernant la part des expéditions par produit, on prévoit également qu’avec la production massive du HBM4E, la part de la série HBM4 passera d’environ 40 % cette année à environ 80 % l’année prochaine. Un acteur du secteur a expliqué : « Avec l’expansion de la production de HBM par Samsung Electronics, il semble que l’entreprise place le produit à forte valeur ajoutée HBM4 au cœur de sa stratégie. »