Samsung Electronics: comenzará la producción en masa de la séptima generación de HBM4E en el primer semestre del próximo año

Samsung Electronics: "Producción en masa de la séptima generación de HBM4E comenzará en el primer semestre del próximo año; el negocio de fundición de semiconductores logra un crecimiento de dos dígitos" Los ingresos de HBM4 de Samsung Electronics en el tercer trimestre crecieron a más del triple en comparación con el trimestre anterior. El siguiente punto a observar es si la expansión de los productos actuales puede continuar hasta la producción en masa de HBM4E en 2027 y el aumento del negocio de fundición de semiconductores. HBM es una memoria de alto ancho de banda utilizada para aceleradores de IA. Samsung Electronics indicó que en mayo de este año entregó a sus clientes muestras de HBM4E de 12 capas, y ahora ha anunciado su plan de iniciar la producción en masa a partir del primer semestre de 2027 y aumentar la producción en el segundo semestre. El precio promedio de DRAM en el tercer trimestre subió un 20% respecto al trimestre anterior, y NAND aumentó un 10%. El negocio de fundición de semiconductores está vinculado a los ingresos de los chips de computación base —los chips desnudos— debajo de HBM. Samsung Electronics espera que los ingresos por fundición de semiconductores en el cuarto trimestre logren un crecimiento de dos dígitos tanto trimestral como anual. Según la información de resultados de la empresa, el negocio móvil y de redes reportó una pérdida operativa de 600,000 millones de won en el tercer trimestre, y el negocio de productos terminados sigue enfrentando presión de costos. El cronograma de producción en masa y el crecimiento del negocio de fundición de semiconductores forman parte del plan de la empresa, pero no son resultados ya realizados. Se debe prestar atención a la certificación de clientes para HBM4E, los envíos reales y si el aumento de la producción puede traducirse en rentabilidad.