Samsung (SSNLF.US) supera el 80% de rendimiento en HBM4 y entra en la fase de “rendimiento dorado”; se espera que los ingresos del tercer trimestre se tripliquen

De acuerdo con información de Jinse Finance, Samsung Electronics (SSNLF.US) ha visto cómo la tasa de rendimiento de su memoria de alto ancho de banda de sexta generación HBM4 ha aumentado abruptamente desde menos del 60% al inicio de la producción en masa hasta aproximadamente el 80%, alcanzando antes de lo previsto el objetivo fijado por la compañía para fin de año. En la industria, una tasa de rendimiento del 80% se denomina “tasa de oro”, y este avance significa que Samsung ha dado un paso clave hacia la rentabilidad y la capacidad de suministro a gran escala de HBM4.

En febrero de este año, Samsung fue la primera empresa del mundo en iniciar la producción y el suministro masivo de HBM4, aunque la tasa de rendimiento inicial era inferior al 60%. Tras unos seis meses de optimización de los procesos, la tasa de rendimiento se estabilizó rápidamente. Según fuentes del sector citadas en el informe, Samsung originalmente planeaba alcanzar el 80% de rendimiento a finales de 2026, pero el progreso ha ido claramente por delante del calendario.

En cuanto a las razones que explican la mejora de la tasa de rendimiento, el informe señala que la optimización de Samsung en el proceso de lámina no conductora de presión térmica (TC-NCF) es una de las claves principales; otros analistas destacan que la mejora del rendimiento de los chips base de DRAM 1c utilizados en HBM4 también tuvo un papel fundamental.

Con la consecución de la “tasa de oro”, las expectativas de expansión de capacidad y mejora de rentabilidad de Samsung se ven notablemente fortalecidas. La empresa ha indicado que los ingresos de HBM4 en el tercer trimestre crecerán más de tres veces respecto al trimestre anterior, y que en la segunda mitad del año, HBM4 representará más del 60% del total del negocio HBM de Samsung. En cuanto a cuota de mercado, Samsung ha fijado como objetivo alcanzar alrededor del 38% de participación en HBM para fin de año, equiparándose así a su posición en el sector DRAM.

Analistas consideran que la expansión de la producción de HBM4 no solo respalda de manera significativa la fabricación del próximo acelerador de IA Vera Rubin de NVIDIA (NVDA.US), sino que también ayuda a NVIDIA y a otros grandes clientes a diversificar la cadena de suministro, reduciendo su dependencia de un solo proveedor.

El profesor Lee Jong-hwan, del área de Ingeniería de Semiconductores de Sistemas de la Universidad Sangmyung de Corea, señala que, desde la perspectiva de grandes clientes como NVIDIA, diversificar las fuentes de la cadena de suministro es claramente más ventajoso que depender de un solo proveedor. Si Samsung logra aprovechar la oportunidad de expandir el suministro de HBM4, podría consolidar rápidamente su posición dominante en el mercado.

Es importante destacar que SK hynix (SKHY.US), competidor de Samsung, también ha avanzado rápidamente en HBM4. Según estimaciones de la industria, la tasa de rendimiento de HBM4 de SK hynix también ha alcanzado alrededor del 80%. Gracias a su experiencia acumulada en la producción masiva de varias generaciones de productos HBM y a su exclusiva tecnología avanzada MR-MUF (relleno inferior moldeado por reciclaje de calidad), se espera de manera generalizada que SK hynix aumente su capacidad de manera fluida en la segunda mitad del año.