Die Samsung Taylor Fabrik 2 wird HBM-Grundchips für AMD und Nvidia produzieren.

Laut einem Bericht der südkoreanischen Wirtschaftszeitung Maeil Kyungjae am Dienstag wird Samsung Electronics seine zweite Halbleiterfertigungsanlage in Taylor, Texas, USA nutzen, um Bare Dies für High-Bandwidth Memory-Chips für AMD und Nvidia zu produzieren. Dem Bericht zufolge soll mit dem offiziellen Bau der Fabrik noch in diesem Monat begonnen werden, und die gesamte Produktionskapazität ist bereits durch Aufträge gebunden, der Großteil davon von AMD. Die Anlage wird die fortschrittliche 2-Nanometer-Fertigungstechnologie verwenden, hat eine Fläche von etwa 2,7 Millionen Quadratfuß und ist damit etwa 1,5-mal so groß wie die erste Fabrik von Samsung. Das erste Werk von Samsung hat bereits einen Vertrag mit Tesla abgeschlossen. Es wird berichtet, dass die Installation der Geräte in dem neuen Werk voraussichtlich im Februar 2029 beginnt und die Massenproduktion im Jahr 2030 startet.