Die US-Armee wählt Navitas zur Entwicklung der nächsten Generation der 10 kV SiC IGBT-Technologie aus.

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Bitget2026/09/28 20:21

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Navitas hat einen vom US-Heer unterstützten ALATTIS-Preis gewonnen, um die Entwicklung von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern der nächsten Generation mit 10 kV voranzutreiben.
Das Programm zielt auf 10 kV SiC IGBTs mit zugehörigen PiN-Dioden ab und erweitert damit die SiC-Roadmap über MOSFET-Produkte hinaus.
Im Rahmen des Projekts werden Prototypen entworfen, gefertigt und getestet, um ein neues inländisches Fertigungsverfahren für ultra-hochspannungsfähige SiC-Bauelemente zu validieren.
Die Initiative baut auf dem GeneSiC-Portfolio auf, das Spannungsbereiche von 650 V bis 6,5 kV abdeckt und auf einer trench-unterstützten planen Bauelementarchitektur basiert.

Hinweis: Diese Kurznachricht wurde von Public Technologies (PUBT) mit Hilfe generativer künstlicher Intelligenz erstellt. Obwohl PUBT bestrebt ist, genaue und zeitnahe Informationen bereitzustellen, dient dieser von KI generierte Inhalt ausschließlich Informationszwecken und sollte nicht als Finanz-, Investitions- oder Rechtsberatung ausgelegt werden. Navitas Semiconductor Corporation hat den ursprünglichen Inhalt, der zur Erstellung dieser Meldung verwendet wurde, über GlobeNewswire (Ref. ID: 202609281615PRIMZONEFULLFEED9835322) am 28. September 2026 veröffentlicht und ist allein verantwortlich für die darin enthaltenen Informationen.

Haftungsausschluss: Der Inhalt dieses Artikels gibt ausschließlich die Meinung des Autors wieder und repräsentiert nicht die Plattform in irgendeiner Form. Dieser Artikel ist nicht dazu gedacht, als Referenz für Investitionsentscheidungen zu dienen.

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