إيلون ماسك يتحدث عن إنتاج الرقائق: قدرة التصنيع على نطاق واسع في الصين غالبًا ما تتجاوز إجمالي باقي مناطق العالم

أحدث تصريح لماسك حول قدرة التصنيع الواسعة النطاق في الصين أضاف مزيداً من القلق إلى المنافسة المتزايدة بالفعل في صناعة الرقائق.

في الليلة الماضية، أدى خبر التقدم التكنولوجي الأخير لشركة Changxin Memory الصينية لتصنيع رقائق التخزين إلى ضغط على قطاع الرقائق في سوق الأسهم الأمريكية - حيث انخفض مؤشر فيلادلفيا لأشباه الموصلات بنسبة 2.7٪ يوم الاثنين، مسجلاً أدنى مستوى له في ثلاثة أسابيع. وتصدرت أسهم شركات رقائق الذاكرة مثل Micron وSanDisk وSK Hynix ADR الانخفاض، وارتفعت المخاوف بشكل واضح في السوق بشأن تسارع الشركات الصينية لدخول سوق ذاكرة خوادم الذكاء الاصطناعي ذات الهامش الربحي المرتفع.

وفي تعليقه على هذا الاتجاه، قال المحلل بالذكاء الاصطناعي Melvin إنه لا يستطيع فهم موجة البيع الكبيرة في أسهم شركات الذاكرة، ويعتقد أن رد فعل السوق مبالغ فيه، وأن هذه الموجة من البيع غير منطقية.

عقب ذلك، نشر ماسك على منصة X الاجتماعية قائلاً: بمجرد أن تتقن الصين طريقة تصنيع منتج معين، فعادة ما تتفوق قدرتها على التوسيع والإنتاج على بقية مناطق العالم مجتمعة، واستشهد بالبطاريات الليثيوم والطاقة الشمسية لإثبات ذلك.كما أعرب بوضوح عن قلقه إزاء سرعة اللحاق بالصين في مجال رقائق الذاكرة، وأشار إلى أن الصين تبدو وكأنها تقتحم بسرعة المعايير القياسية العامة مثل LP5 وLP6.

ماسك: قدرة الصين على التوسع الصناعي هي ميزة منهجية

وصف ماسك في منشوره على أن قدرة الصين على تصنيع المنتجات على نطاق واسع تُعد ميزة منهجية وليست ظاهرة فردية. وكتب: "عندما تكتشف الصين كيفية تصنيع منتج ما، غالبًا ما تتجاوز قدرتها على التوسيع باقي مناطق العالم مجتمعة. لقد رأينا ذلك في مجالات البطاريات الليثيوم والطاقة الشمسية."

واستشهد بـSpaceX كاستثناء نادر - حيث تجاوزت كتلته المدارة للمدارات ما تعادل جميع صواريخ الحمل الأخرى في العالم مجتمعة بمقدار رتبة، لكنه أضاف بأن الصين تحتل حالياً معظم الحصة في الكتلة المدارة للمدارات غير التابعة لـSpaceX، قائلاً: "SpaceX هي حالة شاذة في هذا السياق".

وفيما يخص مجال رقائق الذاكرة، كان تقييم ماسك أكثر وضوحاً. قال إن RAM قبل ثلاث سنوات كانت لا تزال سلعة منخفضة الربحية، أما الآن فتصاميم LP5 وLP6 هي معايير عامة و"الصين تبدو وكأنها تحل هذه المعايير بسرعة". وأشار في الوقت نفسه إلى أن الجيل الأحدث من بنية HBM، وطبقة SRAM الواقعة أسفل طبقة المنطق، بالإضافة إلى تكديس ذاكرة RAM ثلاثية الأبعاد فوق الطبقة المنطقية مع معالجة مشكلات التبريد، ستكون تحديات تقنية أكثر صعوبة للتغلب عليها.

اختراق تقني لشركة Changxin Memory أشعل موجة بيع في السوق

لم يأتِ تصريح ماسك من فراغ، ففي عطلة نهاية الأسبوع الماضية، أعلن الدكتور Cao Kanyu، رئيس شركة Changxin Memory، في فعالية صناعية أن الشركة أحرزت تقدماً رئيسياً في بنية خلية التخزين من الجيل القادم 4F²، وتخطط لإطلاق منتجات ذاكرة خوادم DDR5 المعتمدة على هذه البنية بحلول نهاية عام 2026.

الميزة الأساسية لبنية 4F² تكمن في تقليص مساحة خلية التخزين. ففي الهندسة التقليدية للـDRAM، والتي تعتمد على بنية 6F²، يرمز F إلى الحد الأدنى لعرض العملية الهندسية، بينما يسمح التصميم 4F² - من الناحية النظرية - باستيعاب عدد من البتات أعلى بحوالي الثلث في نفس المساحة، مما يخفض التكاليف للوحدة الواحدة ويجعلها أكثر ملاءمة لوحدات الذاكرة ذات السعة الكبيرة المطلوبة في خوادم الذكاء الاصطناعي. وأوضح Cao Kanyu أن هذا التصميم يستخدم ترانزستورات بوابة محاطة رأسياً مملوكة للشركة من أجل تقليل التسرب، مستهدفاً بشكل مباشر سوق DRAM لخوادم الذكاء الاصطناعي ذات الهامش الربحي المرتفع.

أشعل هذا الخبر فجأة مخاوف السوق من تسارع تغلغل الشركات الصينية في سوق رقائق التخزين عالية الجودة، وأصبح شرارة مباشرة لتراجع أسهم شركات الرقائق يوم الاثنين. وكان قطاع التكنولوجيا هو الأسوأ أداء في سوق الأسهم الأمريكية ذلك اليوم، وتصدرت أسهم شركات رقائق الذاكرة الانخفاض. انخفض سهم ميكرون دون حاجز 1000 دولار وأغلق منخفضاً بنحو 4٪؛ وتراجعت SanDisk تقريبا 6٪؛ وانخفض كل من SK Hynix ADR وSuper Micro Computer بأكثر من 4٪ لكل منهما؛ وتراجعت Seagate Technology بأكثر من 3٪؛ كما انخفضت Quantum بأكثر من 9٪؛ وسجلت Corning أيضاً تراجعاً كبيراً.

منطق البيع في السوق واضح: إذا تمكنت الشركات الصينية من دخول سوق رقائق التخزين الراقية التي هيمنت عليها سابقًا شركات أمريكية وكورية بتكلفة أقل وعلى نطاق أوسع، ستتقلص هوامش أرباح الشركات المتنافسة بشكل كبير. وقد ساهم تصريح ماسك العلني في تعزيز توقعات المستثمرين بشأن تغيير نمط المنافسة في هذا القطاع.