تصاعد المنافسة حول HBM! سامسونج تخطط لتوسيع قدرة إنتاجها بتقنية 4 نانومتر، مما يزيد الضغط التنافسي على SK هايكس (SKHY.US) وميكرون (MU.US)

أفاد تطبيق Zhihui Finance APP أن شركة Samsung Electronics تستعد لتوسيع قدرتها الإنتاجية في مجال التصنيع المتقدم، إذ يشهد الطلب على شرائح الذاكرة من الجيل التالي ارتفاعًا حادًا، وتعمل الشركة حاليًا على تشغيل خط إنتاجها بتقنية 4 نانومتر بكامل طاقته.

ومن المرجح أن يؤدي هذا التحرك إلى تصعيد المنافسة مع SK Hynix (SKHY.US) وMicron (MU.US) – حيث تتصارع عمالقة الذاكرة الثلاثة على حصة في سوق شرائح الذكاء الاصطناعي المزدهر.

توسيع Samsung لقدرات إنتاج الذاكرة

ذكرت وسائل إعلام كورية جنوبية أن Samsung تدرس توسيع طاقتها الإنتاجية في مجال تصنيع الرقائق بتقنية 4 نانومتر لدعم إنتاج الرقائق الأساسية (base die) من طراز HBM4. وتُعد الرقاقة الأساسية هي الطبقة المنطقية الواقعة أسفل حزمة ذاكرة DRAM والتي تربط الذاكرة بمعالِج الذكاء الاصطناعي.

وعلى عكس SK Hynix التي تستخدم عملية تصنيع من TSMC بتقنية 12 نانومتر لإنتاج الرقاقة الأساسية لـ HBM4، تقوم Samsung بتصنيع هذا المكون داخليًا باستخدام تقنيتها الخاصة 4 نانومتر.

وقد خصصت Samsung أكثر من نصف قدرتها الإنتاجية الحالية بتقنية 4 نانومتر لإنتاج الرقائق الأساسية لـ HBM4. وهناك طلبات من عملاء آخرين أيضًا، من بينهم Groq 3 LPU لشركة NVIDIA، مما دفع Samsung إلى رفع أسعار الطلبيات الجديدة بتقنية 4 نانومتر.

اشتداد المنافسة في سباق HBM

ويأتي هذا التوسع في الوقت الذي تسرع فيه Samsung وتيرة رفع طاقتها الإنتاجية من HBM4. وتتوقع الشركة أن ترتفع عائداتها من HBM4 في الربع الثالث بأكثر من ثلاثة أضعاف على أساس ربعي، كما من المتوقع أن تمثل HBM4 أكثر من 60% من إجمالي عائدات HBM في النصف الثاني من العام.

وساهم نمو Samsung في إعادة تشكيل مشهد المنافسة. ووفقًا لبيانات Counterpoint، ارتفعت حصة Samsung من عائدات HBM من 21% في الربع الأول إلى 33% في الربع الثاني، في حين استحوذت SK Hynix على 50% وMicron على 18%.

وتدرس الشركة أيضًا بناء خط إنتاج جديد بتقنية 2 نانومتر لـ HBM5، حيث من المتوقع استخدام تقنية 2 نانومتر في الرقاقة الأساسية لـ HBM5. وقد يعزز ذلك استراتيجية التكامل الرأسي لشركة Samsung، لتجمع بين تصنيع الذاكرة، والإلكترونيات المنطقية، والتغليف المتقدم في وحدة متكاملة.

ضغط متزايد على SK Hynix وMicron

بالنسبة لكل من SK Hynix وMicron، فإن تسارع وتيرة رفع الطاقة الإنتاجية لشركة Samsung في HBM4 يشكّل تحديًا تنافسيًا آخر، وذلك في الوقت الذي تدفع فيه نفقات البنية التحتية للذكاء الاصطناعي الطلب على الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي إلى مستويات غير مسبوقة.

في يونيو من هذا العام، كانت Samsung أول مورد يُكمل عملية التحقق من HBM4 ويبدأ الشحن، في حين واجهت SK Hynix تأخيرات في الاعتماد ولا تزال Micron تركز بشكل أكبر على HBM3E.

وتتوقع Citi أن ينمو الطلب العالمي على HBM بالحجم بحوالي 62% العام المقبل، ما قد يؤدي إلى حالة من قلة المعروض في السوق. وهذا يعني أن توسع Samsung في الطاقة الإنتاجية قد يمكنها من اقتناص حصة أكبر في سوق يشهد نموًا سريعًا.