ذكرت مصادر أن شركة Kioxia تخطط لاستبدال جزء من ذاكرة DRAM بإصدار مطور من NAND.

格隆汇 4 سبتمبر｜وفقًا لأخبار السوق، عقدت Kioxia مؤخرًا مؤتمرًا لشرح تقنيات أشباه الموصلات والذاكرة والتقنيات الأخرى. تخطط Kioxia لتحسين سرعة معالجة ذاكرة NAND الفلاشية عبر وحدات CXL المصممة خصيصًا لأحمال عمل الذكاء الاصطناعي، لتحل محل جزء من ذاكرة DRAM. ووفقًا للمصادر، يمكن لوحدات CXL تقليل وقت قراءة البيانات إلى أقل من عُشر المنتجات التقليدية، وبفضل سرعة قراءة البيانات العالية يمكن أن يقترب أداؤها أكثر من DRAM. أشارت Kioxia إلى أنه إذا تم استبدال جزء من DRAM بوحدات CXL، يمكن مضاعفة السعة مرتين وزيادة الأداء بنسبة 30%.